CJ存储武汉第三工厂动工，加速向DRAM领域战略延伸

据《日经亚洲》援引多方消息，尽管面临美国出口管制压力，中国本土存储芯片领军企业CJ存储（YMTC）正借势国产替代与人工智能内需爆发，加速产能扩张。其位于武汉的第三座12英寸晶圆厂已于2025年正式动工，预计2027年投产；同时第二厂区产能爬坡进度超预期。机构数据显示，CJ存储在全球NAND闪存市场的份额持续提升，有望在两年内跻身全球前四。更值得关注的是，公司正积极评估进军DRAM芯片领域——该产品是高带宽存储器（HBM）的核心基础，广泛应用于AI服务器、数据中心及高端智能手机。若成功切入DRAM市场，CJ存储将成为继CX存储之后，中国第二家具备DRAM量产能力的企业，显著增强国内在关键存储芯片领域的自主可控能力。此举也呼应了国家“十四五”规划中关于突破高端芯片“卡脖子”技术的战略导向。