AI创新推动内存需求爆发

AI技术正从云端训练向边缘推理延伸，催生对高性能、低功耗存储器的多元化需求。生成式AI与物理AI的融合，使芯片设计更强调能效比与实时响应能力，推动DRAM与NAND技术向3D化、高密度方向演进。HBM凭借超高带宽成为AI加速器标配，3D NAND则支撑数据中心SSD的大容量与高速读写。据中国台湾工研院预估，2025年中国台湾IC制造业产值将达4.3兆新台币，年增26.9%；2026年有望突破4.8兆，主要受益于AI相关芯片订单持续涌入。这一增长不仅来自先进逻辑芯片，更源于存储器与主控芯片的协同升级。
中国台湾在全球半导体生态中扮演关键角色：晶圆代工在7纳米以下先进制程保持领先，存储器厂商则转向利基市场突围。南亚科专注特殊制程DRAM，华邦电深耕低功耗Flash，群联强化主控芯片整合能力。随着台积电等企业加速在美国、日本、欧洲布局海外产能，中国台湾供应链的弹性与技术实力进一步凸显。值得注意的是，AI服务器架构正在演变——英伟达Grace CPU平台已采用LPDDR5X替代部分DDR5，虽降低单机功耗，却新增对先进封装与定制化内存的需求。这为中国台湾封测与模组厂带来新机遇。未来，AI不仅驱动算力升级，更重塑存储架构——从数据中心到智能终端，内存已成为决定系统性能的核心要素。无论是自动驾驶汽车的实时决策，还是智能手机的本地大模型运行，都依赖高效内存支持。其战略价值将持续提升，推动整个产业链向更高集成度、更强定制化方向发展。