三星调整生产线，应对DRAM需求激增

面对全球人工智能基础设施投资快速扩张所带来的DRAM需求激增，韩国三星电子正进行重大产线调整。公司计划将平泽和华城园区的部分NAND闪存生产线转为DRAM生产，并新建专用DRAM工厂（P4），采用10纳米第六代（1c）制程技术，预计2026年投产。此举旨在抓住AI服务器对高带宽、高容量存储器的爆发性需求。当前市场对DRAM的需求已达三大厂商（三星、SK海力士、美光）总产能的三倍，部分客户甚至愿以70%溢价采购96GB/128GB DDR5服务器内存，仍难确保供应。这种供不应求的局面不仅体现在高端HBM产品上，通用型DRAM同样面临严重短缺，价格自2023年下半年起已连续多个季度上涨。
这一战略转变反映出DRAM市场的结构性紧缺。相比NAND闪存供应商众多、竞争激烈，DRAM市场高度集中，利润空间更大。三星因此选择将资源向高附加值领域倾斜。除P4外，原规划用于晶圆代工的平泽二厂（P2）也可能转产DRAM。现有混合产线（如P1和华城）也将提高DRAM占比。为弥补NAND减产缺口，三星将提升中国西安工厂的产出。值得注意的是，三星并非简单削减NAND产能，而是通过优化全球布局实现动态平衡——西安厂具备成熟CMOS与NAND工艺基础，扩产阻力较小。同时，1c DRAM制程采用EUV光刻技术，良率提升显著，单位成本下降，有助于在保障毛利率的同时扩大市场份额。整体来看，这一系列举措不仅是对短期供需失衡的响应，更是三星在AI时代巩固其存储器领导地位的关键布局，通过聚焦垄断性强、技术壁垒高的DRAM业务，最大化长期收益。未来两年，随着AI推理部署规模扩大，对高密度、低功耗DRAM的需求将持续攀升，三星的战略卡位有望带来显著先发优势。