长鑫存储DDR5重磅登场：中国技术追赶重塑全球存储格局

在中国国际半导体博览会（IC China 2025）上，长鑫存储正式发布其最新DDR5与LPDDR5X产品，标志着中国在高端DRAM领域实现关键突破。据官方披露，其DDR5最高速率达8000Mbps，单颗容量达24Gb，性能参数已可比肩三星与SK海力士的同期产品。这一进展震惊业界，尤其引发韩国媒体高度关注——《Business Korea》援引Counterpoint数据指出，长鑫存储2025年第三季度DRAM全球市占率已达8%，跃居第四位；月产能27万片，约为三星（64万片）和SK海力士（51万片）的42%–53%。韩媒忧心忡忡地表示，中韩在通用DRAM领域的技术差距已缩短至“不到一年”。
这一快速追赶得益于多重因素：中国的强力政策支持、对海外（包括韩国、日本与中国台湾）技术人才的积极引进，以及庞大的内需市场作为试炼场。值得注意的是，尽管美国限制EUV光刻设备对华出口延缓了中国先进制程扩张，但行业专家指出，随着3D DRAM时代的临近（预计2030年），堆叠式内存技术对EUV依赖度将显著降低，这可能成为中国实现“弯道超车”的战略窗口。首尔大学教授黄哲成直言：“单看当前技术水平，韩国与中国几乎已无差距。”若五年内无需EUV的制程实现商业化，现有技术鸿沟或瞬间弥合。与此同时，长江存储在NAND领域同样迅猛——其270层3D NAND闪存市占率达13%，紧追铠侠（14%），与三星（286层）技术代差微乎其微。中国存储双雄的崛起，正成为缓解全球短缺压力的同时，也深刻改变着由韩美主导数十年的产业生态。