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美光日本建厂押注HBM次世代:1.5万亿日元投资剑指AI存储新高地

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-12-01
美国存储大厂美光近日宣布,将在日本广岛工厂区内兴建新厂房,投资1.5万亿日元(约合749亿港元)生产HBM次世代产品,日本政府将补助5000亿日元。这一动作不仅是美光深化AI存储布局的关键落子,更折射出全球存储产业向“AI专用存储”集中的趋势——随着生成式AI对高带宽、低延迟存储的需求激增,HBM已成为科技巨头的“必争之地”。  
新厂预计2026年5月动工,2028年左右出货AI用次世代HBM。HBM作为与英伟达GPU配套的核心存储,凭借高存储容量与数据传输速度,可显著加速生成式AI模型训练与推理,是AI数据中心服务器的“刚需组件”。美光选择在广岛扩产,既因当地成熟的半导体产业链配套,也受益于日本政府对AI产业的扶持政策——此次5000亿日元补助,是日本推动“半导体复兴”的重要举措之一。  
从全球HBM竞争格局看,美光目前市占率21%(2025年Q2数据),仅次于SK海力士(64%)与三星(15%)。尽管暂居第三,但美光凭借技术积累与客户绑定,正加速追赶:其最新HBM3E产品已通过多家AI芯片厂验证,新厂投产后将进一步扩大产能,目标在2028年将市占率提升至30%以上。  
值得关注的是,美光在中国台湾、美国亦设有HBM生产基地,而中国台湾凭借成熟的半导体制造生态,长期是其先进HBM的“首发地”。此次日本建厂,既为分散地缘风险,也瞄准日本在材料、精密制造领域的优势,降低对单一区域的依赖。对AI产业而言,美光的扩产将缓解HBM供给紧张,但短期内SK海力士与三星仍主导市场,三强争霸的格局或持续至2027年。