DRAM价格狂涨 三星Q4有望重夺全球龙头

价格暴涨+AI基建 三星业绩与市占双升
2025年第四季度，韩系存储巨头三星电子有望力压SK海力士，重夺全球DRAM市占龙头宝座。这一反转的核心动力，是DRAM缺货引发的价格狂涨——截至2025年11月底，消费型8Gb DDR4价格站上8.1美元，较3月低点1.35美元暴升六倍；业界预期Q4 DRAM合约价季增约五成，三星作为以通用DRAM为主力业务（营收占比超60%）的厂商，直接受益于这波涨价潮。  
业绩层面，韩联社援引业界研判，三星Q4营业利润或突破18万亿韩元（约122亿美元），优于市场预期；半导体暨装置解决方案部门营业利润上看15.1万亿韩元，年增幅高达422%，充分反映内存需求回暖与价格飞涨的拉动效应。  
技术差距缩小+HBM助力 三星反超SK海力士
三星的“逆袭”并非偶然。2025年Q1，三星因HBM市占落后（SK海力士64% vs 三星40%）让出DRAM龙头；Q2差距扩大至6个百分点（SK海力士33.2% vs 三星32.6%）。但通过加速HBM生产、改善良率（HBM4逻辑层良率提升至90%），三星Q3已将差距缩小至0.6个百分点，Q4更凭借通用DRAM的价格优势反超。  
数据显示，SK海力士Q3 DRAM市占33.2%，三星32.6%，差距微乎其微。韩国券商普遍认为，三星Q4将凭借“通用DRAM营收占比更高”的优势（三星通用DRAM营收占比超60%，SK海力士因HBM优先占比约50%），叠加HBM技术差距缩小，重夺龙头地位。  
外资看多 内存步入“超级循环”
外资机构同样看好三星后市。摩根士丹利近期将三星目标价上调至144,000韩元，若行情延续或挑战175,000韩元。其报告直言，AI基建扩张与超大规模云端商加码投资，将推动DRAM价格超越2018年超级繁荣期高点，内存产业已步入“超级循环”，三星股价与获利有望同步向上。  
从“HBM掉队”到“通用DRAM涨价受益”，三星Q4的反转，既是短期价格波动的结果，也折射出其在IDM综合韧性（产能、技术、客户覆盖）上的优势。随着AI基建持续升温，三星与SK海力士的“龙头之争”或将成2026年存储产业的最大看点。