2026年存储资本支出趋保守 技术升级成主线

资本支出增长 位元产出贡献有限
2025年，全球存储产业因AI算力爆发迎来“超级周期”，DRAM与NAND闪存价格与厂商获利双双攀升。但根机构调查，2026年存储产业的资本支出虽持续增长，但对“位元产出”的拉动作用有限——投资重心正从“扩产能”转向“制程升级、高层数堆叠、混合键合及HBM等高附加价值产品”。  
具体来看，2025年DRAM资本支出预计537亿美元，2026年增至613亿美元（年增14%）；NAND闪存2025年资本支出211亿美元，2026年微增至222亿美元（年增5%）。增长的主因并非产能扩张，而是技术迭代：如DRAM的1γ制程渗透、TSV设备建置，NAND的BiCS8/BiCS9研发、G9制程导入等。  
厂商策略分化：美光激进 三星SK保守
各厂商资本支出策略差异显著：美光最激进，2026年预计投入135亿美元（年增23%），主攻1γ制程与TSV设备；SK海力士增17%至205亿美元，应对M15x的HBM4产能扩张；三星增11%至200亿美元，聚焦HBM的1C制程渗透及小幅增加P4L晶圆产能。  
NAND领域，Kioxia/SanDisk与长江存储（YMTC）因无DRAM业务，扩产最积极：Kioxia/SanDisk投入45亿美元（年增41%），加速BiCS8生产并研发BiCS9；美光微增NAND产能，专注G9制程与企业级SSD，资本支出年增幅63%。三星与SK海力士/Solidigm则缩减NAND支出，优先转向HBM与DRAM。  
供应增幅有限 供不应求或贯穿全年
当前DRAM与NAND厂商普遍面临“无尘室空间不足”问题，仅三星、SK海力士有小幅扩产机会，美光需待美国ID1新厂2027年落成后才能贡献产出。2026年资本支出聚焦技术升级而非扩产，将导致供应位元增幅有限。  
NAND闪存的需求爆发源于AI对存储容量的“结构性”需求（如单台AI服务器需数十TB闪存）及HDD供应不足（云端服务商转单SSD），这一短缺非短期波动。结合资本支出的“重技术轻扩产”倾向，机构预测，NAND闪存市场的供不应求状态将延续2026年全年，价格或维持高位。