三星拟转移HBM产能至DDR5，瞄准高毛利内存模组市场

在全球存储器市场经历结构性短缺的背景下，行业龙头三星电子正酝酿一项重大产能调整：考虑将部分高带宽存储器（HBM）产线转向生产DDR5内存模组，以抓住当前“超级周期”中的高利润机遇。据外媒Wccftech援引《电子时报》报道，这一策略转变源于HBM领域激烈竞争导致的利润率承压，而同期DDR5模组因供不应求，毛利率竟高达75%，形成鲜明对比。
当前，内存模组短缺已蔓延至未来多个季度，尤其在AI服务器、数据中心及高端笔记本电脑领域，DDR5 RDIMM和LPDDR5X需求激增。三星作为全球最大DRAM制造商，拥有充足的1a/1b制程产能基础，正计划将其中30%–40%升级至更先进的1c制程，专门用于生产DDR5、LPDDR5X、LPDDR6及GDDR7等高需求产品。此举不仅能缓解通用DRAM供应压力，更能显著提升整体DRAM业务盈利能力。分析指出，在HBM市场被SK海力士主导（市占率超50%）的格局下，三星选择“避其锋芒、攻其所短”，实为理性商业决策。
然而，这一产能转移也可能带来连锁反应。由于新增产能主要面向数据中心等企业级客户，普通消费者市场（如游戏本、台式机用户）短期内恐难受益，高端DDR5内存价格或仍将维持高位。此外，随着长鑫存储等中国厂商加速DDR5布局，全球市场竞争或将加剧。但对三星而言，在AI基础设施建设拉动全品类存储需求的窗口期，最大化利用现有产线获取现金流与利润，无疑是巩固其行业地位的关键一步。这场从“AI专用”向“通用高毛利”产品的战略回摆，也揭示了半导体企业在技术理想与商业现实之间的精妙平衡。