SK海力士推迟HBM4量产，优先保障HBM3E供应以应对市场需求变化

在全球AI芯片竞赛白热化的当下，存储器巨头SK海力士近期对其高带宽存储器（HBM）产品路线图作出关键调整：原定于2026年2月启动量产的第六代HBM4，现已推迟至3–4月，大规模扩产时间也延后至第三季度。这一决策并非技术受阻，而是基于对客户需求与市场节奏的精准判断——尤其是来自图形处理器龙头英伟达的战略动向。
据韩国媒体ZDNet Korea援引业内人士消息，SK海力士在与英伟达就2026年HBM供货计划深入沟通后发现，后者对HBM3E的采购量出现“大幅增加”。原因在于，英伟达新一代AI芯片“Rubin”（原计划2026年搭载HBM4）可能因技术复杂度高及台积电CoWoS 2.5D先进封装产能瓶颈而延期发布。在此背景下，当前主力产品Blackwell GPU对HBM3E的需求依然强劲，客户订单饱满。为确保稳定交付并最大化现有产线效益，SK海力士决定在2026年上半年维持HBM3E为最高产能占比产品，暂缓HBM4爬坡。
值得注意的是，HBM4本身代表重大技术跃进：其I/O端口数量增至2048个（为HBM3E的两倍），数据传输带宽显著提升；更关键的是，其逻辑裸片（logic die）将首次采用台积电晶圆代工制程而非传统DRAM工艺，实现更高集成度与能效。此前，SK海力士已按英伟达要求试产2–3万颗HBM4样品用于验证。此次量产推迟，恰恰反映出AI硬件生态的高度协同性——芯片设计、存储器供应与封装产能必须步调一致。SK海力士虽未确认具体策略细节，但强调将“根据市场需求采取灵活应对措施”，彰显其在快速变化的AI时代中以客户为中心的供应哲学。