SK海力士大幅扩产1c DRAM产能，通用存储器成新利润引擎

在全球DRAM市场供需持续紧张的背景下，韩国存储巨头SK海力士正悄然调整其产能战略重心。据韩媒报道，该公司计划将10纳米级第六代1c制程DRAM的月产能从目前约2万片晶圆，大幅提升至2026年底的19万片，增幅近10倍。这一重大转变标志着SK海力士在全力押注高带宽存储器（HBM）的同时，重新重视通用DRAM市场的战略价值——尤其是DDR5、LPDDR5X和GDDR7等主流产品线。
此前，为集中资源满足AI服务器对HBM的爆炸性需求，SK海力士曾通知客户自2025年第四季度起削减通用DRAM供应。但随着通用DRAM价格持续走高，且新建晶圆厂要到2027–2028年才能投产，公司担忧长期缺货将导致终端客户（如PC、智能手机及工业设备厂商）陷入“无芯可用”的困境，进而削弱其整体生态竞争力。因此，SK海力士迅速调整策略，将利川M14厂打造为1c DRAM核心基地（规划月产13万片），同时在M16和清州M15X厂部分转产1c制程。值得注意的是，M15X厂原主要用于HBM3E/HBM4生产，此次将约3万片产能转向通用DRAM，凸显其灵活调配能力。
业界预计，这一战略转向将显著提升SK海力士的盈利结构。2026年公司营业利润有望突破70万亿韩元（约合490亿美元），其中通用DRAM的利润贡献占比将明显上升，甚至与HBM业务趋近平衡。与此同时，竞争对手三星电子也在推进类似调整，计划将30%–40%的1a制程升级为1c，并重点扩大DDR5 RDIMM模组产能——该产品毛利率据传高达75%。随着长鑫存储等中国厂商逐步退出DDR4市场、转向DDR5，全球通用DRAM供应格局正加速重塑。在这场由AI驱动却又反哺传统市场的周期中，掌握先进制程与产能弹性调配能力的企业，无疑将赢得更大话语权。