传北方华创重大突破：90:1蚀刻设备，助力300层NAND量产

瑞银报告显示，北方华创在"90:1高纵横比蚀刻"技术上获重大突破。该技术是300层以上3D NAND量产的关键，将打破国外设备垄断，为中国高端存储芯片量产提供核心支撑，是半导体设备自主可控的重要进展。
3D NAND靠垂直堆叠提升容量，300层以上需在芯片上蚀刻数百层深、数十纳米直径的"垂直通道孔"，纵横比需达90:1以上，工艺难度极高。这如同在指甲盖大小区域挖数百层"电梯井"，要求笔直均匀，是半导体制造的顶尖挑战。
该突破将为北方华创带来数亿至数十亿美元订单机会。长江存储正冲刺300层NAND，急需此类设备。此前中微公司已实现90:1蚀刻并攻100:1，北方华创的突破形成"双龙头"格局，将降低国内晶圆厂对进口设备依赖，保障供应链安全。
北方华创在先进逻辑芯片领域也具增长潜力，中国对28纳米以下制程需求迫切，将带动高端设备需求。高纵横比蚀刻技术需长期研发积累，这一突破是中国设备企业多年坚持的成果，标志着国产设备技术迈上新台阶。
这将打破应用材料、东京电子等国外厂商的垄断，推动设备价格回归合理区间，利好中国半导体产业发展。对投资者而言，这意味着国产替代加速，相关企业长期价值凸显。随着更多设备自主可控，中国半导体将具备与国际巨头抗衡的实力。