HBM长期供不应求 配额制、惜售与囤货成常态

全球记忆体结构性翻转，价格暴涨背后：供给错位与AI需求“挤兑”
全球记忆体市场正经历“结构性翻转”，DRAM与NAND Flash报价过去一年分别大涨3.19倍、1.93倍，近半年涨幅更达2.8倍、1.64倍。这一轮上涨并非传统景气循环，而是供给端与需求端的双重错位：三星、SK海力士、美光近两年的资本支出大量转向HBM与DDR5，以争夺云端服务商与AI服务器订单，导致旧有DRAM、NAND产能不足；而AI训练与推论对记忆体的“吞噬式”需求（如GPT-5训练需消耗数百万GB闪存），进一步挤占了PC、手机等消费级市场的供货。  
以NAND芯片为例，11月合约价平均涨幅逾20%，高容量TLC产品涨幅超60%。原厂将产能优先分配给企业级SSD与高毛利产品，压缩消费级供给，机构预计价格强势将延续至2026年。DRAM方面，南亚科11月营收首破百亿元，年增逾三倍，公司被迫拉回部分产能生产DDR4以应对紧急需求，但涨势或至2026年第二季后才收敛。  
供应链全面失衡：配额制、惜售与囤货成常态
记忆体缺货已蔓延至供应链全环节，三大原厂启动“配额制”，货量紧缩程度超疫情期间。某系统厂高层透露：“过去签季度合约很平常，现在原厂要求‘不保价、不保量’，甚至接受‘月调价’模式。”中国台湾模组厂威刚董事长陈立白直言：“这是20年来最严峻的缺货，客户实际拿到的货量仅订单三成，有钱也买不到。”  
为应对不确定性，威刚自2025年第三季起加速囤货，11月库存回升至160亿元，目标2026年第一季推升至200亿元。产业共识认为，在AI与HBM长期占用产能的背景下，记忆体供应策略已从“景气循环”转向“精准供给管理”，市场失序状态或延续至2026年底。