机构：DDR5高获利挤压产能 HBM3e明年涨价动能增强价差收敛

研调机构18日指出，存储器市况自今年第三季快速反转，AI服务器建置需求优于预期，云端服务商大举备货server DDR5，带动一般型DRAM价格急涨。2025年第四季server DDR5合约价涨幅远超市场预期，晶圆获利同步转强，为产业带来丰厚回报。  
与之相比，HBM3e虽受GPU与ASIC订单上修推升，但早期在买方主导定价下，2026年初始合约价偏低，使其与DDR5平均售价价差从四至五倍快速收敛，预计年底缩至一至二倍。随着一般型DRAM获利提升，部分供应商将产能更多配置到DDR5，反而为HBM3e创造更大涨价空间。主要GPU与ASIC买家为应对未来AI系统建置，已追加2026年HBM3e采购量，供应商重掌定价主导权，开始回调先前过低的合约价，预期2026年HBM3e整体ASP将小幅上修。  
机构调查结果与此一致，指出2025年第三季起存储器供需反转，AI相关server部署需求旺盛，CSP扩大DDR5备货并制定2026-2027年采购计划，形成缺货格局，DRAM供应商顺势提价。第四季server DDR5合约价季增幅超预期，获利改善，与HBM3e价差收敛趋势明确。随着Conventional DRAM获利上升，产能倾向DDR5，为HBM3e涨价铺路，买家追加订单更强化供应商议价能力，预计明年HBM3e ASP略有上调。  
美光最新财报营收与获利双创高，并对下一季给出营收与毛利率续扬展望，印证DDR5与HBM3e价格动能的判断，也凸显AI服务器与高阶存储器处于强劲上升循环。整体来看，DDR5高获利引发的产能排挤效应，正重塑HBM3e定价逻辑，明年其涨价动能有望同步增强。