供货方像圣诞老人？ 便宜价内存没了 钰创：DRAM缺货延至2027H1

随着人工智能技术在全球范围加速落地，半导体产业正经历一场由底层应用推动的深刻变革。中国台湾半导体厂钰创董事长卢超群近日在媒体交流中指出，当前全球半导体景气“如日中天”，AI并非短期泡沫，而是由真实、广泛且持续增长的应用场景所驱动的结构性繁荣。尤其在存储器领域，动态随机存取存储器（DRAM）供需严重失衡，部分型号价格已较年初飙升5倍，甚至出现“有价无市”的局面。他明确预判，这一轮缺货态势将至少持续到2027年上半年。
卢超群分析，造成当前DRAM供应紧张的核心原因并非短期需求激增，而是长期产能投资不足所引发的结构性缺口。过去四至五年，包括三星、美光等在内的全球主要DRAM厂商普遍处于盈利压力之下，资本开支趋于保守，几乎未启动新厂建设。而DRAM制造具有极高的技术门槛与资金壁垒，新建一座晶圆厂从规划、建设到实现稳定量产通常需要六年以上时间，远长于逻辑芯片厂所需的四至五年周期。这意味着即便现在立即启动扩产，也难以在2027年前对市场形成有效供给。
与此同时，AI浪潮正以前所未有的速度重塑存储器需求结构。以高带宽存储器（HBM）为例，单颗HBM模组需整合约20颗传统DRAM芯片，其单位面积的存储密度和数据吞吐能力远超标准DDR产品。随着英伟达等厂商的图形处理器广泛采用HBM，数据中心、AI服务器对高端DRAM的需求呈指数级增长。这不仅大量占用先进制程产能，还导致部分原厂逐步退出DDR3、DDR4等成熟制程的生产，进一步压缩了消费电子、工业控制等中低端市场的供应弹性。
在此背景下，存储器市场的定价机制已发生根本性转变。卢超群形象地比喻：“现在谁肯给货，就像圣诞老人。”客户能否拿到货已成为首要难题，价格反而退居其次。他强调，当前DRAM价格尚未完全反映其真实价值。过去数十年，消费者习惯了“便宜又大容量”的内存，但这一时代已然终结。未来市场将呈现明显的三级分化：高端AI与数据中心客户不计成本采购，确保算力稳定；主流笔记本电脑、台式机及智能手机市场将承担合理溢价；而低阶应用则被迫降规、减配，甚至退出市场。
面对持续紧缺，终端系统厂商的应对策略极为有限。一是减少内存搭载量或采用更低规格产品以控制成本，但这在AI推理、多任务处理等场景下往往无法满足性能需求；二是接受更高采购成本，将压力传导至终端售价；三是部分中小型企业因无法获得稳定供货，面临产品延期甚至停产风险。卢超群坦言，最不愿看到第三种情况，呼吁产业链上下游理性看待当前结构性现实，避免过度渲染恐慌，共同维护生态健康发展。
值得注意的是，钰创并未被动等待市场回暖，而是主动构建“AI+存储”融合生态。公司将于2026年美国CES展上重磅推出“MemorAiLink”技术平台，聚焦四大核心方向：高性能存储器架构、智能视觉传感、高速数据传输与隐私计算。该平台通过异构集成逻辑芯片、DRAM与闪存，显著提升边缘AI设备的能效比与响应速度，降低系统设计复杂度。
此外，钰创旗下钰立微电子已联合中国台湾光学大厂亚洲光学，共同开发“机器人准系统平台ARM01C/AMR01M”。该平台整合自研3D立体视觉模组（如G120/G100大视角深度相机）、XINK系列AI运算主板（内置Cortex-A55/M4 CPU与最高4 TOPS NPU），以及高精度运动控制系统，支持室内外无缝切换导航——室内采用SLAM技术，户外则切换至卫星或多源融合定位。平台提供轻载（50公斤）与中载（100公斤）两种底盘方案，适用于物流配送、餐饮服务、园区巡检等多样化场景，真正实现“买了就能定制、上层即可开发”的快速部署能力。
展望全球半导体产业前景，卢超群预测2025年总产值将达7500亿美元，同比增长约1300亿美元，创下史上最大年度增幅；原定2030年突破1万亿美元的目标，有望提前至2028年实现。他特别指出，摩尔定律并未终结，而是通过3D堆叠、芯粒（Chiplet）、异质整合等创新路径持续演进。以NAND闪存为例，当前主流堆叠层数已达400层，机构预测未来将向1000层迈进，存储密度与性能仍有巨大提升空间。
在这场由AI点燃的半导体新周期中，短缺或许只是表象，真正的变革在于价值重估与生态重构。当“内存永远便宜”的旧逻辑被打破，一个更注重技术深度、协同效率与本土韧性的新时代，正在加速到来。