内存涨价难撼台积电代工霸权 三星多线作战陷困局
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-12-22
尽管内存DRAM、NAND供给吃紧推高价格,三星等存储大厂营收与获利受益,但这波“市场财”未必能转化为其在晶圆代工领域与中国台湾半导体厂台积电竞争的筹码。世界半导体贸易统计组织(WSTS)预估,2024年存储器营收年增27.8%,在各主要产品类别中增幅居前,但三星的强项在于集团版图横跨存储器、晶圆代工与终端装置,过去某一领域的突破能联动其他事业形成正向循环;然而当前三星在多线作战中遭遇挑战,资源难以有效转化为整体优势。
从市占数据看,机构统计显示,2024年第三季度SK海力士DRAM市占率33.2%,略高于三星的32.6%;晶圆代工方面,台积电市占率达71%,三星仅约6.8%,差距悬殊。三星在HBM领域进度落后SK海力士,晶圆代工端的先进制程推进也不如预期——其3nm制程良率与台积电存在差距,2nm制程的量产时间亦晚于台积电规划。
全球先进制程竞局中,台积电、英特尔、三星三方角力,但态势各有不同:英特尔在执行长陈立武带领下积极推进,获美国政府及产业资金挹注,与美国在地制造政策高度绑定;三星则面临内部调整与外部资源动员的双重不确定性,仍在寻找重回成长的路径。蔡卓卲预期,台积电在晶圆代工领域仍可维持2-3年主导优势;英特尔或在客户无法负担台积电成本时,逐步承接部分次一级需求。
简言之,内存涨价虽能短期增厚三星存储业务的利润,但其在晶圆代工的技术短板与市场劣势,使其难以借此撼动台积电的代工霸权。三星若想在半导体全产业链重夺主导权,需在先进制程、封装技术等关键环节实现突破,而非依赖单一领域的景气红利。
从市占数据看,机构统计显示,2024年第三季度SK海力士DRAM市占率33.2%,略高于三星的32.6%;晶圆代工方面,台积电市占率达71%,三星仅约6.8%,差距悬殊。三星在HBM领域进度落后SK海力士,晶圆代工端的先进制程推进也不如预期——其3nm制程良率与台积电存在差距,2nm制程的量产时间亦晚于台积电规划。
全球先进制程竞局中,台积电、英特尔、三星三方角力,但态势各有不同:英特尔在执行长陈立武带领下积极推进,获美国政府及产业资金挹注,与美国在地制造政策高度绑定;三星则面临内部调整与外部资源动员的双重不确定性,仍在寻找重回成长的路径。蔡卓卲预期,台积电在晶圆代工领域仍可维持2-3年主导优势;英特尔或在客户无法负担台积电成本时,逐步承接部分次一级需求。
简言之,内存涨价虽能短期增厚三星存储业务的利润,但其在晶圆代工的技术短板与市场劣势,使其难以借此撼动台积电的代工霸权。三星若想在半导体全产业链重夺主导权,需在先进制程、封装技术等关键环节实现突破,而非依赖单一领域的景气红利。






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