三星HBM4获英伟达最高评价 存储技术主导权争夺战升温

长期以来，在高效能带宽存储器（HBM）领域，三星电子始终处于追赶SK海力士的位置。但近日一则消息打破了这一格局——三星HBM4在英伟达新一代AI加速器Vera Rubin的测试中夺得业界最高评价，为其重夺存储芯片技术主导权打开突破口。  
据韩国《每日经济新闻》援引产业人士消息，英伟达团队上周访问三星，通报了HBM4系统级封装（SiP）的测试进展。会议透露，在运行速度与功耗效率两项核心指标上，三星HBM4的表现位列所有存储器厂商之首。这一成绩标志着三星在HBM领域的技术积累取得关键突破，此前其HBM产品因良率和能效问题落后于SK海力士，如今凭借HBM4的优异表现，三星有望扭转市场印象。  
更令业界振奋的是，英伟达向三星提出的明年HBM4供应量需求，大幅超出三星内部预期。双方有望于2025年第一季度签署供货协议，三星或于第二季度正式向英伟达交付芯片。考虑到英伟达作为全球AI芯片龙头的市场地位，这一合作不仅能为三星带来直接的订单收益，更能通过“英伟达认证”提升其HBM产品的市场认可度，进而撬动更多客户订单。  
HBM作为AI服务器的“内存心脏”，其技术壁垒与市场需求呈正相关。随着AI模型参数规模突破万亿级，HBM的高带宽、低延迟特性成为GPU与加速器突破内存墙的关键。三星此次在HBM4上的突破，不仅是对自身技术实力的证明，更可能引发存储行业竞争格局的连锁反应——SK海力士虽仍占据HBM市场龙头位置（2024年第三季度市占率57%），但三星的追赶将倒逼其加速技术迭代，最终推动整个HBM产业向更高性能演进。