SK海力士提前量产HBM4 抢滩AI高阶内存高地

在全球AI浪潮持续加码的背景下，高带宽存储器（HBM）已成为支撑AI服务器与高性能运算（HPC）的关键部件，市场竞争随之白热化。韩国存储器龙头SK海力士为抢占先机，已将位于清州的M15X新晶圆厂量产计划提前四个月，预计2026年2月即可量产采用1b制程的DRAM，用于最新一代HBM4产品，比原定2026年6月的目标大幅提前。这一提速背后，是英伟达对HBM4的迫切需求推动，SK海力士加紧配合，以期在AI加速器供应链中稳固核心地位。  
M15X初期月产能约1万片晶圆，并计划在2026年底前将产能扩大数倍，以满足英伟达Rubin系列GPU的配套需求。据悉，SK海力士已于2025年9月交付首批HBM4样品并通过英伟达认证，将采用台积电CoWoS先进封装技术整合于Rubin平台。目前，其与英伟达处于最终优化阶段，进展顺利。相比之下，三星虽也已送样HBM4，但优化测试尚处较早阶段；美光则宣称HBM4产能已全部售罄，凸显高端AI内存的稀缺性。机构数据显示，2025年第三季SK海力士以34.1%的全球DRAM市占率蝉联第一，营收达24.4兆韩元，同比增长39%，营业利益11.4兆韩元，同比大增62%，双双刷新历史纪录。提前量产不仅有助于巩固其HBM龙头地位，也为其在AI基础设施供应链中掌握更强议价权奠定基础。  
提前投产的背后，是AI服务器对HBM性能的极致追求。HBM4相比前代在带宽、能效和堆叠层数上均有显著提升，可更好满足大模型训练与推理的海量数据吞吐需求。SK海力士的快速推进，意味着其将在英伟达下一代AI平台放量前锁定关键订单，从而在2026年AI基建竞赛中占得先机。与此同时，这也对其他竞争者形成倒逼——三星正努力提高HBM4良率以争取英伟达更多份额，美光则全力保障产能交付，全球三大内存厂围绕HBM4的争夺已提前开打，市场格局或因此重塑。