2026 AI存储新格局：SRAM崛起，HBM主导，中国台湾成关键支点

2025年底，AI芯片架构迎来重大变革。英伟达斥资200亿美元整合Groq技术，确立“训练/推理分流”双轨路径。在HBM3E价格高企、DDR5因产能排挤而暴涨的背景下，静态随机存取存储器（SRAM）凭借低于1纳秒的超低延迟，成为2026年AI推理优化的核心。HBM则继续主导训练端，提供极致带宽。中国台湾半导体供应链凭借先进制程与异质集成能力，成为这场存储器重构的关键力量。
技术上，SRAM无需刷新、贴近算力核心，Groq通过230MB片上SRAM将推理效率提升2–5倍；HBM通过3D堆叠实现高吞吐，HBM3E单颗报价约500美元，2026年产能已售罄。英伟达Blackwell平台搭载180GB HBM3E，2027年Rubin将迈向1TB HBM4；同时其推理芯片全面导入SRAM。AMD聚焦大模型训练，HBM容量领先同业；苹果、特斯拉则依赖嵌入式或分布式SRAM加速端侧AI。
中国台湾厂商深度参与其中：台积电垄断CoWoS封装（2026年月产能达10万片），并代工HBM4逻辑晶粒与高密度SRAM；力积电P5厂推进3D晶圆堆叠；弘塑、创意提供关键设备与高速接口IP；爱普、华邦电切入利基推理市场。2026年，AI重心正从训练转向推理，SRAM与HBM将并驾齐驱。随着英伟达为SRAM路线背书，中国台湾在全球AI硬件生态中的枢纽地位进一步巩固。