SK海力士加速HBM4量产，2026年2月提前投产抢占AI高地

在人工智能算力需求持续爆发的推动下，高带宽存储器（HBM）已成为全球半导体竞争的最前沿阵地。韩国存储器龙头SK海力士近日宣布，其位于韩国清州的M15X晶圆厂HBM4量产进度超预期，将于2026年2月正式启动量产，较原计划提前整整四个月。这一提速直接响应了英伟达对下一代AI加速器——Rubin系列GPU的迫切需求，彰显SK海力士在高端存储市场的快速反应能力与技术领先优势。
HBM4作为HBM3E的继任者，采用SK海力士最新的1b纳米制程DRAM技术，不仅在带宽、容量上实现跃升，更在能效比方面取得突破。据悉，首批HBM4样品已于2025年9月交付英伟达，并获得高度认可，将通过台积电CoWoS先进封装平台集成至Rubin GPU中。初期月产能约为1万片晶圆，公司计划在2026年底前将产能扩大数倍，以应对来自数据中心、大模型训练等领域的强劲订单。这一扩产节奏也反映出SK海力士对AI市场长期增长的信心。
市场表现印证了其战略布局的成功。根据机构Omdia最新报告，SK海力士在2025年第三季度以34.1%的全球DRAM市场份额稳居第一，连续三个季度领跑行业，主要受益于HBM出货量的强劲增长。同期财报显示，公司营收达24.4兆韩元（约合171.3亿美元），同比增长39%；营业利润飙升至11.4兆韩元（约80.2亿美元），同比大增62%，首次突破10兆韩元大关，创下历史新高。这些亮眼数据背后，是AI服务器对高带宽、低延迟存储器的刚性需求所驱动的结构性红利。随着HBM4在2026年全面放量，SK海力士不仅将进一步巩固其在AI存储领域的领导地位，更有望在全球半导体价值链中向更高附加值环节延伸，从“存储制造商”迈向“AI基础设施核心伙伴”。