三星HBM3E和DRAM内存价格上涨50%，DDR4明年第1季合约价传涨5成

2025年底，全球存储器市场正经历一场由人工智能（AI）需求驱动的结构性变革。据韩国媒体报道，三星已将其HBM3E高带宽存储器芯片价格在原有基础上再度上调50%，同时主流DRAM芯片价格也在第四季度同步上涨约50%。这一轮涨价并非孤立事件，而是源于AI服务器对高性能存储器的爆发性需求与产能错配之间的尖锐矛盾。随着生成式人工智能（GenAI）模型训练和推理规模持续扩大，英伟达、AMD等厂商的AI加速器对HBM的依赖日益加深，而HBM3E作为当前最先进版本，单颗带宽可达1.2TB/s以上，成为大模型部署的“刚需”。然而，全球仅三星、SK海力士与美光三家具备量产能力，且产能扩张受限于先进封装（如CoWoS）瓶颈，导致供应严重滞后于订单增长。
在此背景下，三星凭借其相对灵活的产能调配策略，在HBM与传统DRAM之间取得平衡。不同于SK海力士和美光大幅削减标准DRAM产能以全力冲刺HBM，三星维持了较高的DRAM产出水平，使其不仅在高利润的HBM市场斩获丰厚回报，还能在传统DRAM短缺行情中同步受益。机构数据显示，2025年第四季度，三星存储器部门利润创下历史新高，预计2026年将继续领跑行业。更值得关注的是，HBM的高利润率（普遍高于普通DRAM 2–3倍）正吸引厂商将资源持续倾斜，进一步加剧了消费电子与企业级通用DRAM的供应紧张。这种“AI吸走产能”的现象，已从高端服务器蔓延至笔记本电脑、台式机乃至智能手机领域，形成全品类存储器涨价潮。
与此同时，DDR4这一被视为“成熟产品”的内存类型，竟在2026年初迎来罕见的价格暴涨。由于三大原厂将12英寸晶圆产能优先分配给HBM与DDR5，DDR4的投片量被大幅压缩甚至部分退出产线，导致市场出现严重缺货。业内传出，2026年第一季度DDR4合约价已敲定上涨50%，第二季度谈判仍在进行，但涨价趋势难以逆转。这一变局为中国台湾存储器厂商带来重大机遇。南亚科月产能逾6万片，其中DDR4占比超过一半，受益于价格连续两季大幅上扬（第三季度均价季增40%以上），公司已于2025年第三季度实现单季转亏为盈，10月每股税后盈余（EPS）达0.66元，超越整个第三季度水平。管理层对2026年展望乐观，指出客户长单需求旺盛，尤其在工业控制、网通设备及老旧服务器升级等领域，DDR4仍是不可替代的解决方案。
华邦电同样迎来业绩拐点。受惠于DRAM与NAND闪存的结构性短缺，公司2025年10月税后净利达11.86亿元，同比暴增394倍；第三季度净利润约29.43亿元，终结连续四季亏损，创近三年单季新高。为把握此波景气周期，华邦电启动355亿元扩产计划：高雄DRAM厂月产能将提升至2.4–2.5万片，并导入16纳米制程，8Gb DDR4/LPDDR4产品预计2026年量产；台中闪存厂亦将扩产20%。值得注意的是，尽管DDR5是未来主流，但在成本敏感型市场（如教育、中小企业IT设备）及特定嵌入式应用场景中，DDR4仍具强大生命力。随着原厂退出，二线厂商正填补空白，中国台湾存储器产业链由此获得难得的战略窗口期，有望在全球AI硬件生态中扮演更关键的补充角色。