美国放宽对三星、SK海力士中国工厂设备出口限制：全球存储供应链迎来喘息之机

2024年12月底，美国商务部工业与安全局（BIS）宣布调整对韩国半导体巨头三星电子与SK海力士在华工厂的设备出口管制政策，允许其每年向中国工厂出口生产设备，无需逐案申请许可证。这一“部分放宽”举措，避免了此前市场担忧的“每次出货均需审批”的最坏情景，为两家公司在西安、无锡、大连等地的DRAM与NAND闪存生产线提供了关键运营保障。回溯政策演变，美国自2022年起对美制半导体设备出口中国实施严格管制，虽曾给予三星、SK海力士豁免，但2024年8月宣布将于120天后取消该豁免，引发业界震动。此次调整被视为在维护技术管制与避免全球供应链崩溃之间寻求平衡的务实之举。
三星与SK海力士在华产能举足轻重：三星西安厂占其全球NAND闪存产能40%，月产25万片，是其海外唯一存储芯片生产基地；SK海力士无锡厂则贡献其全球DRAM产量约15%。2024年，两家公司合计向中国工厂转移设备价值超1.17亿美元。若设备进口完全中断，不仅将导致其在华产能下滑，更会加剧本已紧张的全球存储芯片供应，推高服务器、智能手机等终端产品成本，最终反噬包括美国企业在内的全球电子产业链。值得注意的是，此次放宽仅适用于维持现有产线运转的设备，用于扩产或技术升级的设备仍被禁止，意味着美方在保障短期供应稳定的同时，仍试图遏制中国先进制程发展。
在2025年全球存储芯片价格持续飙升、AI需求爆发的背景下，美国此举具有现实考量。Gartner数据显示，全球前五大半导体设备商（科磊、泛林、应用材料等）均为美国企业，占市场70%以上份额。若韩厂在华停产，这些美企订单也将遭受重创。因此，政策调整既是对产业现实的妥协，也是对全球供应链韧性的维护。对三星与SK海力士而言，这为其争取了宝贵的缓冲期，可继续利用中国成熟制程产能满足全球中低端DRAM与NAND需求，同时将先进HBM产能集中于本土。对中国而言，虽未直接受益于技术升级，但现有产线的稳定运行有助于缓解国内存储器进口压力。未来，全球存储产业格局将在地缘政治与市场需求的双重张力下，持续动态演化。