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长鑫科技冲刺科创板,295亿元募资重塑全球DRAM格局

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-12-31
2024年12月30日,中国半导体产业迎来历史性一刻——国内DRAM龙头企业长鑫科技集团股份有限公司正式向上海证券交易所提交科创板上市申请,并获受理。此次IPO拟募集资金高达295亿元人民币,不仅创下中国存储芯片领域最大规模融资纪录,更被市场广泛视为“中国存储芯片第一股”的诞生标志。尤为关键的是,该项目是科创板试点“IPO预先审阅机制”后的首例获批案例,反映出监管层对关键核心技术企业采取更具弹性的制度安排,在保障信息披露质量的同时,加速支持国家战略科技力量登陆资本市场。这一举措释放出明确信号:在中美科技竞争加剧、全球供应链重构的背景下,中国正全力推动存储器这一“卡脖子”环节的自主可控。
根据招股书披露,长鑫科技展现出强劲的成长动能。2024年前九个月营收已达320.84亿元,2022至2024年主营业务收入复合增长率高达72.04%。产品线已全面覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等主流DRAM系列,应用场景横跨服务器、智能手机、笔记本电脑、台式机乃至智能汽车电子系统。按出货量统计,公司已跃居中国第一、全球第四大DRAM供应商,仅次于三星、SK海力士与美光。这一市占率的快速提升,不仅得益于全球AI算力需求爆发带来的结构性机遇,更源于其持续的技术迭代与产能爬坡能力。在国际原厂将资源集中于高带宽存储器(HBM)而压缩通用DRAM产能的背景下,长鑫科技凭借完整的中高端产品布局,正成为全球客户多元化供应链的重要选项。
本次募资将精准投向三大核心方向:75亿元用于现有存储器晶圆制造产线的技术升级改造,130亿元投入DRAM存储器技术升级项目,90亿元则聚焦动态随机存取存储器(DRAM)的前瞻性技术研发。这一资金分配凸显其“以研发换规模、以规模降成本”的战略逻辑。值得注意的是,公司研发投入强度极高——2025年上半年研发费用率达23.71%,研发人员达4653人,占员工总数逾三成。在存储芯片这一资本与技术双密集型行业,长鑫科技正通过高强度投入构建技术护城河。股东结构亦具战略意义:第一大股东合肥清辉集电企业管理合伙企业持股21.67%,无单一控股股东;国家集成电路产业投资基金(“大基金”二期)、地方国资及多家产业资本共同持股,充分体现其作为国家级关键供应链核心企业的定位。随着2026年全球DRAM供需持续紧张,长鑫科技的产能释放有望进一步缓解中国对进口存储器的依赖,为国产替代提供坚实支撑。