2026年第一季度存储器价格全面暴涨，DRAM涨幅逼近六成、NAND突破三成

根据机构最新报告，2026年第一季度全球存储器市场价格迎来全面、强劲的上涨。受AI服务器需求持续高烧及原厂产能策略性倾斜的双重驱动，一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价预计季增55%至60%，而NAND闪存合约价亦将上涨33%至38%。此轮涨价的核心逻辑在于：存储器原厂正将先进制程产能与新增产能大规模转向服务器DRAM及高带宽存储器（HBM），以满足AI算力基础设施的爆炸性需求，导致其他应用领域的供给急剧收缩，从而引发全品类价格联动上扬。其中，服务器DRAM成为涨幅最猛的品类，预计季增幅将突破60%。自2025年底起，北美云服务巨头基于长期合作基础与强劲需求展望，持续向原厂追加订单，在原厂库存降至历史低位的背景下，出货增长完全依赖晶圆厂产能爬坡，供需矛盾空前尖锐。
除服务器外，其他细分市场亦难逃涨价浪潮。PC DRAM虽面临笔记本电脑整机出货下调及部分中低端机型降规的压力，但原厂同步收紧对OEM与模组厂的供应配额，迫使部分品牌商转向二级市场高价采购，反而推高整体价格中枢。移动DRAM方面，尽管处于传统淡季，但手机品牌担忧后续合约价持续走高，纷纷提前拉货，导致LPDDR4X与LPDDR5X持续供不应求。图形DRAM虽因英伟达RTX 6000系列出货目标下调而需求转弱，但其与主流DDR5共享产能，受后者排挤而供应偏紧，价格仍有支撑。在NAND闪存领域，企业级SSD需求首次超越智能手机，成为最大应用出口，原厂为追求利润最大化，将产能优先配置于此，导致客户端SSD（尤其是高性价比QLC产品）极度稀缺，合约价预计季增超40%，涨幅居各类NAND产品之首。即便是需求疲软的eMMC/UFS与闪存晶圆，也因原厂产能退出而维持强势，全产品线无一幸免于涨价潮。