SK海力士展望2026：HBM引领AI存储器超周期，产业迈入高带宽新时代

在全球人工智能浪潮席卷之下，SK海力士于2026年初发布市场展望，明确指出以高带宽存储器（HBM）为核心的先进内存产品将成为驱动产业成长的核心引擎，并有望开启新一轮“AI存储器超周期”。随着生成式AI模型规模呈指数级扩张，传统DRAM在带宽、容量与能效方面已难以满足GPU与AI专用芯片的需求，HBM凭借其堆叠式3D封装结构与超高速互连技术，成为缩短数据访问延迟、提升系统整体效能的关键组件。特别是在大型语言模型（LLM）的训练与推理场景中，HBM已成为不可或缺的硬件基础。
展望2026年，SK海力士预计HBM技术将持续演进，朝着更高堆叠层数、更大单颗容量与更低功耗方向发展，并与CoWoS等先进封装技术深度融合，以支撑下一代AI平台的算力需求。公司强调，其资本支出与产能扩张将聚焦于HBM及先进制程，审慎推进以匹配AI市场的长期增长曲线。值得注意的是，AI应用正从云端数据中心加速延伸至企业本地与边缘计算场景，这将进一步拓宽HBM及其他高端存储器的应用边界。SK海力士判断，2026年将成为以HBM为核心的新成长阶段的重要转折点，存储器产业的价值重心正从“容量”向“带宽与能效”全面迁移。