SK海力士重金布局先进封装，押注HBM长期增长

面对人工智能对高带宽存储器（HBM）的爆发性需求，韩国存储器巨头SK海力士于2026年1月宣布投资19兆韩元（约合129亿美元），在韩国清州兴建一座专注于先进芯片封装的新工厂。该项目计划于2026年4月动工，目标在2027年底前完工，旨在强化其在全球HBM市场的领先地位。作为英伟达的主要HBM供应商，SK海力士在2025年已占据全球HBM市场份额的61%。新厂将采用2.5D/3D先进封装技术，将多颗存储器芯片整合为高密度模块，不仅提升带宽与能效，还能缩小整体体积，满足AI加速器对极致性能的追求。  HBM自2013年商用以来，已成为AI训练芯片不可或缺的核心组件。其通过垂直堆叠DRAM芯片并以硅中介层连接，实现远超传统GDDR的带宽密度。随着混合专家模型、多模态大模型等新架构兴起，HBM需求持续攀升。机构预测，2025至2030年全球HBM市场年复合增长率将达33%。然而，HBM制造难度极高，涉及精密堆叠、热管理与信号完整性控制，产能扩张远慢于普通DRAM。这也解释了为何存储器原厂纷纷将资源倾斜至AI领域，进而加剧消费级产品的供应紧张。SK海力士此次重资投入，既是巩固技术护城河的战略举措，也反映出整个半导体产业正加速向AI基础设施倾斜。