AI吞噬存储产能，DRAM与闪存价格飙涨，消费电子成本激增25%

  当数据中心为毫秒级延迟精打细算时，普通消费者的每一次换机行为也已被卷入这场由AI掀起的全球存储风暴。受人工智能服务器对高端存储器的海量吞噬影响，全球DRAM与NAND闪存市场正经历前所未有的供需失衡。研究机构数据显示，截至2026年初，移动设备用LPDDR内存价格已较2024年同期上涨超过70%，而用于存储照片、应用与操作系统的NAND闪存价格涨幅更是接近100%。这一轮“芯片通胀”直接推高了智能手机的物料成本（BoM），预计2026年整机制造成本将平均上升25%。更严峻的是，存储器在智能手机总成本中的占比已从过往的10%–15%跃升至20%以上，成为仅次于主芯片的第二大成本项。面对如此压力，部分品牌厂商被迫采取极端措施——在入门级机型中重新启用4GB RAM配置，这在2026年几乎等同于“上个世代”的规格，但在成本红线面前，这或许是维持产品线生存的唯一选择。  

这场危机的根源在于AI基础设施建设的爆炸性需求。随着ChatGPT、Gemini等生成式人工智能应用进入军备竞赛阶段，科技巨头疯狂抢购HBM等高端存储器以喂养其庞大的数据中心。HBM制造工艺极其复杂，需将多层DRAM芯片垂直堆叠并通过硅通孔互联，每生产1位HBM，就需牺牲数位传统DRAM产能。存储器原厂如三星、SK海力士和美光因此将产能重心全面转向高利润的AI市场。三星共同执行长卢泰文坦言：“没有任何企业能逃过这场危机。”即便是苹果这样的万亿市值巨头，也不得不派遣高管长期驻点海外，确保与主要供应商的供货协议。与此同时，封测环节也加入涨价行列——中国台湾地区封测厂报价已上调30%，且第二波调涨正在酝酿。美光高管明确表示，即便其爱达荷州新厂提前至2027年中投产，真正形成规模供给也要等到2028年。在此背景下，智能手机市场正面临结构性调整：旗舰机型价格水涨船高，入门机型规格被迫降级。机构普遍预测，此轮由AI驱动的“存储超级周期”将持续至2027年底甚至2028年，消费者在未来两年换机时，或将同时面对“多花钱”与“少体验”的双重困境。