HBM三强竞逐2026：技术迭代与产能扩张决定AI算力未来

  高带宽存储器（HBM）已成为生成式人工智能时代不可或缺的核心组件，其性能直接决定了AI模型的推理深度与训练效率。目前，全球HBM市场高度集中于三星、SK海力士与美光三大厂商，它们的技术路线与产能布局，不仅关乎自身营收增长，更将深刻影响全球AI基础设施的发展节奏。2025年第一季度，SK海力士凭借在HBM领域的先发优势，以约36%的DRAM营收市占率首次超越三星，成为全球最大DRAM供应商，标志着HBM需求已引发产业格局的结构性位移。SK海力士早在十余年前便投入硅通孔（TSV）与3D堆叠封装技术研发，使其在HBM3/HBM3E世代占据主导地位。
  面对落后局面，三星已展开全面反击。其HBM4产品已通过英伟达认证，计划自2026年起大幅扩充产能，并将投资重心全面押注于HBM4及后续技术。与此同时，美光亦加速追赶，在HBM3E良率与交付上取得显著进展。2026年将成为关键转折点：HBM4将正式进入量产，三大厂商首次站在同一技术起跑线上，过去由单一供应商掌控高溢价的局面有望被打破，从而提升英伟达等AI芯片客户的议价能力。然而，HBM4制程更为复杂，单价较HBM3E上涨超50%，预计在英伟达下一代GPU中成本占比将达四分之一，进一步推高AI芯片整体价格。机构预测，2026年全球HBM市场规模将逼近600亿美元，年增幅近六成。尽管HBM4备受瞩目，但HBM3E仍将是当年出货主力，占比约三分之二。展望未来，HBM4E、HBM5已在规划中，竞争焦点将转向更高堆叠层数、更大容量与更低功耗。这场“三强竞逐”不仅是产能之战，更是技术远见与制造韧性的长期耐力赛，2026年仅是这场AI内存大战的第一个高潮。