三大存储器厂商扩产难解近渴，2026年供应缺口将持续扩大

 尽管全球存储器三大巨头——三星、SK海力士与美光均已宣布扩产计划，但新增产能远不足以填补由AI爆发所引发的巨大供需鸿沟。据韩国《朝鲜日报》援引机构Omdia数据，2026年全球DRAM晶圆总投入量预计约为1800万片，同比增长约5%。其中，三星计划将年产量提升至793万片（+5%），主要依托平泽园区产能释放；SK海力士增幅更为积极，预计从597万片增至648万片（+8%），增量来自清州M15X工厂；而美光则相对保守，维持约360万片的年产量。然而，晶圆投入量的增长并不等同于有效芯片产出的同步提升。三星在向10纳米6代（1α/1β）DRAM制程过渡过程中，因良率爬坡与工艺调试，将面临阶段性产能损耗，导致实际可用芯片供应增幅低于预期。
  更关键的问题在于产能分配的战略倾斜。为满足AI服务器对高带宽存储器（HBM）和大容量企业级DRAM的迫切需求，三大原厂已将新建产线与先进制程资源优先投向数据中心市场。这直接导致消费电子领域的供应被系统性压缩——当前DRAM供应商对普通客户的订单满足率仅为60%，而服务器专用DRAM的满足率甚至低于50%。换言之，市场上近半数的服务器内存需求无法及时满足，PC与智能手机厂商的处境则更为严峻。在此背景下，价格成为调节供需的唯一杠杆。机构预测，2026年第一季度DRAM合约价将环比大涨55%–60%，其中服务器用DRAM涨幅或超60%；NAND闪存同期涨幅亦达33%–38%。值得注意的是，即便PC终端需求因出货量下滑而疲软，但由于原厂大幅削减对模组厂和整机厂的配额，PC用DRAM价格在2026年上半年仍将维持陡峭上涨趋势。
  展望未来，根本性缓解供应紧张的希望寄托于新工厂投产。三星平泽P4工厂与SK海力士龙仁半导体集群被视为关键增量来源，但工程进度显示，两者最早也要到2027年才能形成规模产能。在此之前，全球存储市场将长期处于“紧平衡”甚至“供不应求”状态。对下游厂商而言，2026年不仅是成本高企之年，更是供应链韧性经受考验之年。如何通过长期协议锁定产能、优化产品规格以适配可用资源、甚至推动国产替代方案，将成为智能手机、PC及服务器制造商维系正常运营的核心课题。这场由AI算力竞赛点燃的存储器超级周期，正深刻重塑全球电子产业链的权力结构与竞争逻辑。