SK海力士无锡厂完成1a制程升级，构建中韩双轨产能新格局

在全球半导体供应链面临地缘政治压力与技术封锁的背景下，韩国存储芯片巨头SK海力士成功在位于中国无锡的DRAM生产基地完成关键制程升级。据韩国《ET News》援引业界消息，该工厂已将主流DRAM制造工艺从第三代10纳米级（1z）全面过渡至第四代10纳米级（1a），整个升级计划历时约两年。目前，无锡厂以12英寸晶圆为基准的月产能稳定在18万至19万片之间，其中约90%的产出已采用1a制程。这一进展不仅显著提升了该厂的生产效率与产品能效，更彰显了SK海力士在全球复杂贸易环境下的战略韧性与运营灵活性。
值得注意的是，此次技术跃进是在美国对华实施严格半导体设备出口管制的严峻条件下实现的。由于极紫外光刻（EUV）设备被禁止向中国出口，SK海力士采取了“制程拆分”策略：将涉及EUV的关键前道工艺保留在韩国本土工厂完成，而无锡厂则专注于无需EUV的后段制程作业。这种灵活的生产安排既遵守了相关出口管制规定，又有效利用了其在中国已有的成熟产线和本地化供应链优势。作为SK海力士全球布局中的关键一环，无锡工厂承担着公司整体DRAM产量的30%至40%，其稳定高效运行对保障全球存储器供应具有重要意义。
  韩国半导体业界通常将10纳米级DRAM制程细分为六代，从1x、1y、1z到1a、1b，直至目前最先进的1c。每一代演进都意味着更高的集成度、更低的功耗和更强的性能。当前，1c制程已在SK海力士韩国工厂进入量产阶段，主要用于生产高带宽存储器（HBM）等面向人工智能和高性能计算的高端产品。面对未来需求分化，SK海力士正加速推进“双轨并行”的全球产能战略：一方面，在韩国集中资源发展1c及更先进节点，全力满足AI服务器、数据中心等高附加值市场；另一方面，依托无锡厂大规模量产1a等成熟制程的通用型DRAM，稳定供应消费电子、网络通信、工业控制等主流应用领域。
这一分工模式不仅有助于优化资源配置、提升整体运营效率，也有效分散了地缘政治风险。在中美科技竞争持续深化的背景下，跨国半导体企业必须在合规、成本与产能之间寻求精妙平衡。SK海力士通过无锡厂的成功升级，为行业提供了一个兼顾技术进步与现实约束的可行范本。展望未来，随着AI算力需求持续高企，全球存储器市场将长期处于结构性紧张状态，而具备灵活全球布局与稳健技术迭代能力的企业，无疑将在新一轮产业洗牌中占据更有利位置。