SK海力士突破存内计算瓶颈，3D FeNAND能效提升超7倍

为应对AI大模型带来的能效挑战，SK海力士在2025年12月国际电子器件会议（IEDM）上发布了革命性的3D FeNAND（三维铁电NAND）技术。该方案通过模拟存内计算（A-CiM）架构，将计算单元直接嵌入存储阵列，大幅减少数据搬运能耗。经多层级协同优化，新方案实现吞吐量提升20.4倍、能效提升7.17倍，为下一代高能效AI硬件开辟了新路径。
传统AI加速器需频繁在处理器与存储器间传输数据，能耗占比高达60%以上。SK海力士从存储单元、互联结构到计算架构三方面入手：在单元层面引入脉冲次数调制技术，提升多级存储状态稳定性；通过降低字线RC常数，使吞吐率提升1.4倍、能效提升2.2倍；在计算层面优化页内流水线与页拆分策略，减少字线切换次数。测试显示，在相同芯片面积下，3D FeNAND无需更新权重即可实现比二维存储阵列高16倍的吞吐率与4950倍的能效。这项技术不仅解决了存内计算的密度与能效矛盾，更有望成为边缘AI与终端设备的关键使能技术，推动AI从云端向终端延伸。