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力积电证实美光将协助P3厂DRAM制程精进 启动提升存储器制程新投资计划

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-01-22
在全球DRAM市场因人工智能爆发而持续供不应求的背景下,中国台湾地区晶圆代工大厂力积电正加速推进其第四次战略转型,全面聚焦高附加值AI相关存储器代工。继2026年初宣布以18亿美元出售铜锣P5厂予美光后,双方合作迅速深化——力积电证实,美光将协助力积电新竹P3厂进行DRAM制程精进,重点提升2x纳米利基型DRAM的性能与容量。目前,力积电新竹12英寸晶圆厂区拥有每月5万片存储器产能,其中P3厂月产逾3万片DRAM。为响应下游IC设计客户对“更高容量、更快速度”产品的急迫需求,公司董事会已通过增资案,待股东常会批准后,将立即启动设备采购,升级P3产线。此举旨在抢攻当前缺货涨价带来的市场机遇,强化在AI服务器、边缘计算等领域的代工竞争力。
根据双方签署的合作意向书,力积电除将长期为美光提供DRAM后段先进封装代工服务外,还将借助美光技术支援,加速推进WOW(晶圆堆叠)等先进封装技术的商业化。力积电董事长黄崇仁在内部信中强调,本次交易不仅确保员工“不裁员、有序转回新竹厂”,更使公司正式纳入美光HBM供应链,成功搭上AI浪潮。未来,力积电将淘汰低毛利产品线,聚焦3D AI DRAM、WOW、硅中介层、PMIC及GaN/MOSFET等高阶AI相关制程。市场普遍认为,在全球DRAM产能持续向HBM倾斜、通用型产品供给受限的环境下,力积电凭借成熟制程优化与先进封装能力,有望在利基市场中放大代工价值,实现技术层级与获利能力的双重跃升。