三星与SK海力士Q4盈利新高，HBM战略引领韩国半导体超级周期

2026年1月29日，全球半导体产业迎来一个标志性时刻——三星电子与SK海力士罕见地在同一天发布2025年第四季度最终财报，并同步举行业绩说明会。这一安排凸显了市场对两家韩国存储巨头在人工智能热潮下盈利能力的高度关注。数据显示，三星电子当季销售额达93万亿韩元，营业利润20万亿韩元，创下历史新高；SK海力士则预计实现销售额超31万亿韩元、营业利润约18万亿韩元。更引人注目的是，双方半导体业务的营业利润率均逼近甚至可能突破50%，标志着存储器行业正式迈入“超级盈利周期”。
这一历史性表现的核心驱动力，正是由生成式人工智能引爆的高带宽存储器（HBM）需求浪潮。作为AI服务器图形处理器的关键配套芯片，HBM凭借其远超传统DRAM的数据吞吐能力，成为英伟达等AI芯片厂商的刚需。SK海力士凭借先发优势，在2025年上半年稳居HBM3E市场主导地位；而三星电子则通过快速重组产品线，自下半年起大幅提升供应量，成功跻身主流供应商行列。两家公司围绕12层堆叠HBM3E的技术竞争日趋白热化，不仅推动出货量激增，更显著拉高整体产品均价与毛利率。据机构预测，2026年三星HBM3E客户群将扩大三倍以上，而SK海力士全年营业利润有望达115万亿韩元，同比暴增154%。
  除HBM外，通用DRAM与NAND闪存的协同上涨亦构成盈利双引擎。由于晶圆厂产能大量向HBM倾斜，成熟制程DRAM有效供给持续收紧，导致DDR4、DDR5价格自2025年下半年起大幅攀升，部分品类单季涨幅超过50%。这种“产能挤出效应”意外激活了长期低迷的通用存储市场，使其从成本负担转变为利润贡献主力。与此同时，数据中心对高性能企业级固态硬盘（eSSD）的需求激增，带动NAND闪存业务强势复苏。过去因价格战而承压的NAND产品线，如今凭借QLC技术升级与大容量SSD订单，利润率显著改善。多家机构指出，2026年NAND对整体营业利润的贡献比例或将与DRAM持平，形成“HBM+DRAM+NAND”三足鼎立的盈利结构。
面对供不应求的市场格局，两家公司均采取“选择与聚焦”的产能分配策略。尽管计划小幅提升2026年DRAM总产能，但优先保障HBM与高端DDR5的投片比例，消费级产品则通过外包或动态调整释放资源。一位行业人士坦言：“过去HBM利润率是普通DRAM的5–6倍，如今随着通用DRAM价格飙升，如何根据实时市场信号灵活调配产能，已成为考验厂商经营智慧的关键。”值得注意的是，尽管三星在DRAM与NAND总产能上领先，但SK海力士凭借更集中的产品组合和更高的HBM占比，可能在营业利润率上略胜一筹。证券机构普遍预计，2026年两家公司合计营业利润将首次突破200万亿韩元，其中三星约120万亿，SK海力士约115万亿，共同书写韩国半导体史上最辉煌的盈利篇章。
这场由AI点燃的存储器超级周期，不仅重塑了全球供应链格局，也验证了技术领先与战略聚焦在产业变局中的决定性作用。随着AI基础设施建设持续加码，HBM需求有望延续至2027年以后，而能否在先进封装、3D堆叠与能效优化等维度持续创新，将成为三星与SK海力士维持高盈利水平的长期胜负手。对中国台湾、中国大陆及全球存储产业链而言，这一轮繁荣既是机遇，也是加速技术自主与生态协同的重要窗口期。