HBM技术加速推进，DRAM与NAND价格飙升重塑产业格局

在全球人工智能基础设施建设迅猛扩张的推动下，存储器市场正经历一场由技术革命引发的深度结构性紧缺。2026年初，高盛最新渠道调查显示，DRAM现货价格对合约价的溢价已达到历史罕见水平——DDR4溢价高达172%，DDR5亦达76%。这种极端价差在半导体历史上几乎不可持续，唯一的收敛路径便是合约价格大幅补涨。事实上，市场已开始行动：三星电子在2026年第一季度将NAND闪存合约价格上调逾100%，远超此前机构预测的30%–40%区间；与此同时，DRAM合约价亦被曝上调近70%。这标志着存储芯片正式进入“有价无货”的强势卖方市场。中国台湾半导体厂南亚科12月营收同比暴增445%，韩国DRAM出口额增长72%，中国台湾服务器ODM厂商（如广达、纬颖等）连续13个月营收增速超50%，所有数据共同印证：由AI驱动的存储器“超级周期”不仅真实存在，且正在加速深化。
此轮紧缺的核心在于供需剪刀差的急剧扩大。需求端，AI服务器对高性能企业级固态硬盘（eSSD）的需求呈指数级增长，英伟达下一代AI平台配套存储容量高达1152TB；同时，“端侧AI”趋势迫使智能手机与PC普遍升级至更高容量、更高速度的UFS与NVMe闪存。供给端却因过去两年产能投资保守而严重滞后——主要厂商未大规模扩产，叠加制程向更高层数3D NAND演进过程中的产能置换效应，导致有效供给增长极为有限。更值得注意的是，三星与SK海力士作为全球NAND市占率合计超60%的双寡头，正主动控制产量以最大化利润：三星2026年NAND月产能从490万片下调至468万片，SK海力士从190万片降至170万片。这种策略虽被质疑涉嫌操纵市场，但其管理层坦言：“没有必要勉强扩产”，当前首要目标是修复长期受损的盈利能力。高盛维持对三星与SK海力士的“买入”评级，并分别给予18万韩元与70万韩元的目标价，凸显资本市场对这一超级周期的高度认可。

NAND闪存价格飙升100%，IT成本上涨
据外媒报道，全球人工智能（AI）热潮推动了对内存芯片的需求激增，推高了价格，同时导致IT设备成本上升。市场调研公司Omdia分析显示，移动低功耗DRAM产品（LPDDR）价格较去年年初上涨了70%以上，而智能手机NAND闪存的价格则上涨了约100%。