美光重金加码新加坡，十年240亿美元布局NAND与HBM产能

  为应对全球存储器供应持续吃紧的局面，美国存储器巨头美光科技于2026年1月27日正式宣布一项重大投资计划：未来十年将在新加坡现有NAND闪存生产基地追加投资约240亿美元，用于建设一座全新的先进晶圆制造厂。该工厂已于当日举行动土仪式，预计将于2028年下半年开始投产，最终将提供高达70万平方英尺的无尘室空间，并创造约1,600个高技能就业岗位。此举不仅彰显美光对新加坡作为全球半导体制造枢纽的战略信心，也反映出其在人工智能与数据中心驱动下对NAND闪存长期需求的乐观预期。
值得注意的是，新加坡已是美光全球NAND产能的核心基地——公司98%的NAND闪存芯片均在此生产。此次扩产将进一步巩固其领先地位。此外，美光还在新加坡同步建设一座耗资70亿美元的先进封装厂，专门用于高带宽存储器（HBM）的制造，预计2027年投入运营。在全球存储器三巨头（美光、三星、SK海力士）竞相扩产的背景下，SK海力士已提前新厂投产时间表，而三星亦加速产能释放。然而，机构分析指出，受限于半导体设备交付周期长、良率爬坡缓慢等因素，即便各大厂商全力扩产，全球存储器短缺局面仍可能延续至2027年底。与此同时，美光也在积极布局本土产能，包括在美国纽约州启动千亿美元级别的晶圆厂集群建设，并以18亿美元收购中国台湾力积电位于苗栗铜锣的12英寸晶圆厂，以提升DRAM供应能力。这一系列举措凸显全球存储器产业正进入资本密集、区域分散、技术升级并行的新阶段。