东大加速构建HBM自主生态，力争2026年实现量产突破

面对人工智能浪潮对高带宽存储器（HBM）的强劲需求，东大存储器产业正全力推进技术自主化与产能建设。多家本土企业已明确规划于2026年底启动第四代HBM（HBM3）的量产，并同步加快构建覆盖设备、材料、封测在内的完整产业链生态。由于HBM通过垂直堆叠多颗DRAM芯片并采用硅穿孔（TSV）和先进封装技术实现超高带宽，其制造工艺远比传统通用DRAM复杂，对蚀刻、键合、清洗等环节的精度要求极高。在获取极紫外（EUV）光刻机等关键设备面临巨大障碍，因此推动核心设备国产化成为实现HBM自主可控的必由之路。
在此战略驱动下，北方华创、中微公司、华卓精科等本土设备龙头企业正加速研发HBM专用制造装备。北方华创作为东大蚀刻设备市占率超30%的领军企业，已成功开发出涵盖等离子体蚀刻、物理气相沉积（PVD）、原子层沉积（ALD）及晶圆清洗在内的HBM核心制程设备组合，可支持多层DRAM堆叠所需的高深宽比通孔加工。中微公司则聚焦于新一代混合键合（Hybrid Bonding）设备，用于实现芯片间的纳米级精准对准与电性连接；华卓精科则在HBM封装所需的临时键合/解键合设备领域取得关键技术突破。尽管在EUV光刻环节仍依赖外部，但专家指出，除该环节外，东大在DRAM前道制程设备方面已基本实现自主供应。若2026年HBM3顺利量产，不仅可为东大本土AI芯片企业提供关键配套，还将显著提升东大在全球高性能存储器市场的战略话语权。