美光重金加码新加坡，240亿美元扩产NAND应对AI存储需求，闪存供货有望纾缓？

  为应对人工智能和数据中心爆发式增长带来的存储需求，美国存储器巨头美光科技近日在新加坡为其新建NAND闪存晶圆厂举行奠基仪式。该项目是美光未来十年约240亿美元投资计划的核心部分，将建设一座配备70万平方英尺无尘室的先进制造设施，预计于2028年下半年正式投产。新厂将专注于先进NAND闪存及企业级固态硬盘（SSD）生产，以满足云端服务商、AI训练与推理场景对高性能、大容量存储的迫切需求。
新加坡已是美光全球NAND产能的战略重心——公司98%的NAND闪存芯片均在此制造。此次扩建不仅强化其供应链韧性，也凸显美光对AI驱动下存储市场长期增长的信心。项目预计将创造约1,600个高技能岗位，涵盖制造工程、智能运维等领域，并全面导入人工智能、先进机器人与智能制造技术。加上此前在新加坡布局的70亿美元HBM先进封装厂（预计2027年投产），美光在当地新增就业岗位将达3,000个，进一步巩固新加坡作为亚太半导体制造枢纽的地位。
  值得注意的是，过去两年因高带宽存储器（HBM）利润丰厚，厂商普遍将资源倾斜至DRAM领域，导致NAND闪存投资放缓、产能增速有限。然而，随着生成式AI模型训练完成后进入大规模推理阶段，云端服务商需部署大量SSD用于数据调用与缓存，NAND需求迅速升温，市场供应再度吃紧。在此背景下，美光加速NAND产能建设具有战略意义。
除新加坡外，美光近期还以18亿美元收购中国台湾力积电位于苗栗铜锣的12英寸晶圆厂，旨在提升DRAM产能；同时在美国纽约州启动千亿美元级别的晶圆厂集群建设。其竞争对手三星电子与SK海力士亦纷纷提前新厂投产时间。尽管三大存储器厂商同步扩产，但受制于设备交付周期长、技术爬坡慢等因素，机构普遍预计，全球存储器供应紧张局面将持续至2027年底。美光此次在新加坡的大手笔布局，不仅意在抢占AI存储红利，更将成为观察未来NAND供需格局与价格走势的关键风向标。