数据中心驱动DRAM需求激增，结构性短缺将持续至2027年

  全球DRAM市场正经历由AI数据中心引领的结构性爆发。Yole报告显示，2026年全球DRAM需求将同比增长23%，其中数据中心贡献超半数增幅（28%）。目前，AI负载已占全球DRAM产能30%，整个数据中心占比达50%，导致消费电子用DRAM供应持续紧张。为保生产，手机、PC厂商纷纷提前备货、拉高库存，进一步加剧现货市场紧缺。2024年Q4 DRAM价格已涨约30%，2025年Q1预计涨幅超60%。AI引发的结构性短缺已打破传统周期规律，转向由技术演进驱动的长期紧平衡。
  Yole预测，当前高价紧缺态势将至少持续至2027年。因DRAM晶圆厂新建周期需2–3年，2026年产能仅小幅增长，新产能集中于2027年释放。在此背景下，原厂加速转向“预购后扩产”模式：客户提前一年锁价锁量，原厂据此规划投资。这有助于平抑波动，保障稳定回报。对终端厂商而言，确保关键芯片供应已成为供应链首要任务。随着AI向边缘延伸，高效能DRAM的战略价值已升维为“数字基础设施的血液”，其技术创新与供应安全，正成为国家与企业竞争力的关键组成。