韩国双雄竞逐HBM4高地，三星半导体盈利创纪录

在全球人工智能浪潮的强力驱动下，存储芯片市场正经历一场由技术迭代与产能重构引发的结构性超级周期。SK海力士作为高带宽内存（HBM）领域的先行者，已将2027年初1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）月产能目标从最初的9万片晶圆大幅提升至17万至20万片，并计划将M16工厂的1a与1b DRAM产线全面转为1c制程。此举旨在同时满足通用DRAM涨价红利与HBM4需求爆发的双重机遇。与此同时，三星电子凭借技术突破强势回归——2024年第四季度实现营业利润20.737万亿韩元，创历史新高，其中半导体部门贡献16.4万亿韩元，占比高达80%。关键转折在于，三星成功完成11.7Gbps HBM4的开发，并宣布即将向英伟达全面供货，一举扭转此前在HBM3E阶段落后于SK海力士的局面。数据显示，2024年第一季度SK海力士曾以36%的DRAM市场份额短暂超越三星（34%），但到第四季度，三星凭借HBM竞争力恢复与DDR5产能优势，重新夺回收入端领先地位。更值得关注的是，SK海力士虽在HBM3E阶段占据55%全球份额，但瑞银分析指出，其仍将获得英伟达下一代Rubin GPU约70%的HBM4订单，且产品良率与高附加值比例优于对手。两大韩国巨头的激烈角逐，不仅推动HBM性能持续突破，更将巩固其在全球AI存储市场的主导地位——机构预测，2025年韩企合计将占据HBM市场80%以上份额，牢牢掌控人工智能时代的核心硬件话语权。