SK海力士加速推进1c DRAM扩产，明年产量翻倍

面对通用DRAM价格持续上涨与高带宽内存（HBM）需求爆发的双重机遇，SK海力士正大幅上调其1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）产能规划。公司最新目标是在2027年初实现每月17万至20万片晶圆的1c DRAM产量，这一数字较2024年4月最初设定的9万片目标翻倍有余，并远超2024年10月已调整后的15万片预期。为达成该目标，SK海力士正积极与多家设备供应商洽谈，确保关键制程设备及时到位。同时，公司计划在2025年将M16工厂的1a与1b DRAM生产线全面转换为1c制程，进一步释放先进产能。此举不仅反映出企业对当前市场窗口期的敏锐把握，也凸显其在有限晶圆总产能约束下，优先向高附加值产品倾斜的战略决心。1c DRAM作为SK海力士当前最先进的通用DRAM技术节点，兼具高性能、低功耗与高集成度优势，既可直接用于智能手机、台式机、笔记本电脑等消费电子领域，更是制造HBM3E及下一代HBM4的核心基础。随着人工智能服务器对HBM需求激增，SK海力士正凭借技术领先优势巩固其市场地位——机构预测，公司有望赢得全球约70%的HBM4订单，成为英伟达AI加速器中HBM芯片的最大供应商。此外，SK海力士还是微软Maia 200 AI芯片所用HBM3E的唯一供货商，显示出其在高端AI存储领域的深度绑定能力。在竞争对手三星同步推进1c DRAM量产、美光亦将其视为年度增长引擎的背景下，SK海力士的激进扩产既是主动出击，也是应对行业竞争的必要举措。通过提前实现原定于2028年底达成的27万片月产能目标，公司有望在本轮由AI驱动的存储超级周期中最大化盈利，并进一步拉大与对手在高带宽内存领域的技术代差。