三星电子加码AI存储器投资扩充产能，全面布局先进制程

面对人工智能对高性能存储器的强劲需求，三星电子正大幅增加2025年资本支出，重点扩产1c纳米级DRAM与V9代NAND闪存。公司表示，已提前获取新生产空间与洁净室资源，可在确认需求后快速启动设备安装，抢占供应先机。这一策略源于对AI驱动的结构性增长判断——数据中心、大模型训练与边缘推理共同构筑了对高带宽、大容量存储芯片的刚性需求，远超传统消费电子周期。
支撑该战略的核心是位于基兴园区的“NRD-K”先进研发中心。该设施于2025年第二季度投入运营，集基础研发、产品验证与量产导入于一体，显著缩短技术落地周期。三星将持续扩建该中心，加速1c DRAM开发。该工艺不仅是通用DDR5升级的关键，更是HBM4高带宽内存的基础。三星已实现11.7Gbps HBM4稳定量产，并结合4纳米基底芯片提升性能与良率。在NAND领域，V9工艺将支持更高层数3D堆叠，满足企业级固态硬盘对密度与耐久性的要求，巩固其在AI存储器超级周期中的技术主导地位。