三大DRAM原厂竞逐先进制程，1c纳米节点成AI时代分水岭

在全球存储器产业因人工智能需求爆发而全面回暖的背景下，三星电子、SK海力士与美光三大DRAM原厂正围绕第六代10纳米级（1c）制程展开激烈竞速，这场技术竞赛不仅关乎成本与性能，更决定未来三年在AI服务器与高端消费市场的主导权。SK海力士率先押注1c DRAM，宣布通过产线转换与资源重配，目标在2027年第一季度将月产能提升至17–20万片，近乎翻倍。此举旨在同时满足通用型DDR5升级需求与HBM4核心基础——1c DRAM作为HBM堆叠的关键介质，其能效比与集成度直接决定高带宽内存的性能上限。凭借在HBM市场的先发优势（2025年市占率达61%），SK海力士正试图以1c制程构筑技术护城河，巩固其在AI存储器领域的领导地位。

三星电子则在量产验证进度上保持领先，已完成1c DRAM的关键良率与稳定性测试，确保可大规模放量。作为全球最大的存储器供应商，三星采取“双轨并行”策略：一方面以规模优势巩固在通用DRAM市场的定价权，另一方面加速HBM4量产以追赶SK海力士。其位于韩国平泽的P3工厂正全力扩产1c节点，结合4纳米基底芯片提升HBM4整体性能。相比之下，美光将2026年视为关键转折点，其1-gamma（即1c）制程预计在该财年开始出货，并依托收购中国台湾力积电P5厂及美国本土千亿美元级晶圆厂建设，强化供应链韧性。值得注意的是，三大原厂均未显著增加NAND资本开支，而是聚焦高毛利DRAM与HBM，反映出对AI驱动结构性增长的高度共识。在这场由算力需求引爆的制程大战中，谁能率先实现1c DRAM的高良率、低成本、大规模量产，谁就将掌握AI时代“存力”竞争的主动权，进而重塑全球半导体产业格局。