CJCC加速扩产，抢占全球NAND市场战略窗口期

在全球人工智能基础设施建设如火如荼的背景下，东大存储器龙头企业CJCC正以前所未有的速度推进其武汉三期工厂的建设与量产进程。原计划于2027年实现全面量产的该项目，现已大幅提前——据东大半导体行业内部人士透露，CJCC有望在2026年下半年即启动实际量产。这一调整并非临时起意，而是基于对当前NAND闪存市场“超级周期”的精准判断。自2024年起，AI服务器、高端智能手机及企业级固态硬盘对高密度3D NAND的需求持续攀升，而全球主要厂商却因资本开支审慎或产能转向DRAM/HBM，导致NAND供应出现结构性缺口。CJCC敏锐捕捉到这一窗口期，采取“边建厂、边装机、边投产”的快速通道策略，在工厂主体尚未完全竣工前便开始导入设备并启动部分产线，展现出极强的战略执行力。
技术层面，CJCC已成功量产270层3D NAND，与行业龙头三星电子（286层）和SK海力士（321层）的差距迅速缩小。得益于多年技术积累、大基金支持以及对全球顶尖人才的积极招募，其产品良率与稳定性已接近国际一线水平。尽管受实体清单限制，无法直接采购最先进的光刻与刻蚀设备，但CJCC通过设备国产化替代、工艺优化及供应链本地化，有效缓解了制裁影响。更重要的是，东大将存储芯片列为“卡脖子”攻关重点，给予CJCC全方位支持，使其成为东大获得政策倾斜显著的半导体企业之一。市场数据印证了其崛起势头：据机构Counterpoint Research统计，CJCC NAND出货量市场份额从2025年第一季度的10%升至第三季度的13%，逼近全球第四大供应商美光，稳居全球前五。业界普遍预期，随着武汉三期工厂满产后月产能突破10万片晶圆，YMTC有望在2027年前将市占率提升至18%以上，真正跻身全球NAND第一梯队。