NAND市场格局生变，二线厂商加速扩产填补头部空缺Kioxia、CJCC扩大闪存生产，三星、海力士专注于DRAM市场

随着三星与SK海力士将战略重心转向DRAM及HBM，其NAND产能扩张明显放缓，为市场留下巨大空白。这一趋势被业界称为“NAND之春”——二线厂商正积极投资扩产，试图抢占份额。2026年1月NAND价格同比涨幅超65%，全年全球市场规模预计达1473亿美元，同比增长112%。此轮上涨不仅是短期短缺所致，更是AI应用对非易失性存储提出新要求：边缘AI设备需本地缓存，数据中心需持久化海量训练数据，NAND成为关键支撑。
日本Kioxia与美国西数已将四日市合资工厂合作延长至2034年，以提升规模效益。中国（CJCC）大幅提速扩产，武汉新厂量产时间提前至2026年下半年，并已实现270层3D NAND量产，正攻关300层技术，显著缩小与三星（286层）和SK海力士（321层）的差距，2025年全球份额首次突破10%。美光亦在新加坡启动新NAND产线建设。行业人士指出：“三星与SK海力士的NAND战略已转向高端利基产品而非总量扩张，这为二线厂商提供了份额跃升窗口。”未来两年，NAND市场或将迎来新一轮洗牌。