NAND扩产提速，难改AI驱动下的全球存储紧缺格局？
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-02-02
日本Kioxia与美国西数已将四日市合资工厂合作延长至2034年，以提升规模效益。中国（CJCC）大幅提速扩产，武汉新厂量产时间提前至2026年下半年，并已实现270层3D NAND量产，正攻关300层技术，显著缩小与三星（286层）和SK海力士（321层）的差距，2025年全球份额首次突破10%。美光亦在新加坡启动新NAND产线建设。行业人士指出：“三星与SK海力士的NAND战略已转向高端利基产品而非总量扩张，这为二线厂商提供了份额跃升窗口。”未来两年，NAND市场或将迎来新一轮洗牌。近期市场传出，东大NAND闪存制造商CJCC等厂家正以“史无前例”的速度推进扩产计划，原定2027年投产的新产能有望提前至2026年下半年启动。消息一出，引发资本市场剧烈反应，中国台湾台股存储板块应声重挫，南亚科、群联、华邦电、创见、力积电等多档个股跌停，威刚、宇瞻等亦大幅下挫。市场担忧CJCC的快速扩产可能缓解当前NAND供应紧张局面，进而抑制持续上涨的价格走势。
然而，深入分析供需结构与产业趋势可见，单一厂商的产能释放难以扭转全球存储器市场的结构性短缺。当前NAND产业已告别过去每年30%的高速位元成长模式，转向更为保守的扩张策略。机构预估，2026年全球NAND原厂总产出仅约1,100至1,200 EB，年复合增长率降至10%–15%。主因在于三星、SK海力士、美光等国际大厂将资本支出重心转向高带宽存储器（HBM）、先进DRAM及制程优化，而非新建NAND晶圆厂。多数厂商选择通过提升3D NAND堆叠层数（如从200层迈向300层以上）来增加单位晶圆产出，而非单纯扩大投片量，导致整体供给增长受限。更关键的是，AI技术的爆发正以前所未有的力度拉升存储需求。需求端已从传统消费电子转向数据中心与AI推理场景。英伟达在CES 2026上推出的“推理情境记忆存储平台”（ICMSP），预计将为2027年带来75–100 EB的新增NAND需求。以Vera Rubin服务器为例，若单机配置32TB SSD，出货1,000万台即需320 EB存储空间，占全球年产能近三成。大型云服务商（CSP）正投入数千亿美元建设AI基础设施，其商业模式高度依赖海量数据存储与高效推理，使得存储容量成为变现能力的核心要素。据某原厂估算，当前CSP对NAND的总需求已超出全球供给约15%–20%，形成严重的结构性缺口。
在此背景下，CJCC的扩产虽具战略意义，但实际影响有限。首先，其新厂初期产能主要用于3D DRAM开发，而非纯NAND闪存；其次，3D NAND制程复杂，良率爬坡通常需数个季度，2026年下半年即便投产，有效供给释放或延至2027年；再者，在政策导向下，CJCC产能可能优先满足中国本土AI与数据中心需求，对全球市场的增量贡献相对有限。因此，即便CAND产能提前开出，也难以撼动当前由AI驱动的供不应求格局。
与此同时，利基型存储器如NOR Flash、SLC/MLC NAND等因主流产能被HBM与企业级SSD挤占，供给持续收缩。机构数据显示，2026年MLC NAND全球产能将同比大减41.7%，台湾地区旺宏等厂商已缩减NOR Flash产能以转产MLC。这进一步推升利基产品价格，为兆易创新、普冉股份、东芯股份等国内设计厂商及江波龙、佰维存储等模组厂带来机遇。
从财务表现看，存储行业景气度持续高涨。SK海力士2025年第四季度营业利润率达58%，创历史新高；西数分拆后的闪迪2026财年第二季度营收同比增长61%，毛利率达51%，并预计第三季度毛利率将升至65%–67%。这充分印证当前并非周期性反弹，而是由AI基础设施投资驱动的“超级循环”。
尽管短期市场受情绪扰动出现波动，但机构普遍认为，存储器结构性短缺将持续至2027年。英伟达多次强调“AI必须有内存”，代理式AI（Agentic AI）的发展更推动系统从“短期记忆”向“长期记忆”演进，对高带宽、大容量存储的需求只增不减。在此趋势下，具备技术实力与客户卡位优势的厂商仍将受益。台湾地区机构点名南亚科、晶豪科、宜鼎为值得关注的标的——其中晶豪科2026年EPS有望挑战29.2元，首季利基DRAM合约价已季增75%–80%，全年涨价动能强劲。
综上所述，CJCC的扩产是中国半导体自主化进程的重要一步，但在全球AI算力军备竞赛的宏大叙事中，其短期对供需平衡的影响有限。真正的挑战在于：如何在全球产能排挤、技术迭代加速、地缘政治复杂的多重变量下，构建可持续的存储生态。对投资者而言，与其担忧短期波动，不如聚焦于那些深度绑定AI基础设施、具备产品升级与成本控制能力的优质企业。
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