HBM4量产竞赛白热化，SK海力士与三星竞逐英伟达订单

在AI芯片核心组件——高带宽内存（HBM4）领域，SK海力士与三星正展开激烈竞争。SK海力士已加速10纳米级第五代（1b）DRAM量产，用于组装HBM4，并计划年底前将清州M15x工厂月产能提升至4万片，同时推进M16工艺转换。此举旨在满足英伟达Vera Rubin AI加速器的紧急需求。尽管此前因英伟达提高传输速度等性能要求而多次修改设计，但目前质量测试已进入最后阶段，量产在即。
相较之下，三星凭借10纳米第六代（1c）DRAM及4纳米逻辑芯片工艺，在HBM4性能参数上宣称领先，且强调“无需重新设计”。然而，SK海力士则押注于良率优势——HBM4集成12颗DRAM芯片，单颗良率若低于90%，整体产出将急剧下降。因此，稳定高良率成为价格竞争力与盈利能力的关键。双方策略迥异：三星强调技术领先，SK海力士侧重量产可行性。这场竞赛不仅是技术实力的比拼，更是对供应链响应速度的终极考验。谁能率先稳定供货，谁就能在2026年HBM4市场占据主导地位。