CJCC加速DRAM布局，完成LPDDR5工程样品开发

在全球存储器持续紧缺、国际大厂聚焦AI高毛利产品的背景下，东大存储龙头CJCC正加速战略转型。公司已完成LPDDR5工程样品开发，并将在2026年下半年投产的武汉三期工厂中，首次部署DRAM产能，初期规划DRAM与NAND各占约一半，标志着其从NAND specialist向全栈存储厂商迈进。选择LPDDR5作为切入点，兼具现实与战略考量：既可支撑国产智能手机供应链，缓解消费电子缺芯压力，又能契合数据中心对低功耗内存的需求，为未来切入DDR5乃至HBM高端市场铺路。凭借在3D NAND中积累的混合键合技术，CJCC已具备向先进封装延伸的基础。与此同时，CJCC被赋予稳定国内供应链的关键任务。在三星、SK海力士等大幅削减消费级和车用闪存供给的形势下，其优先保障本土手机、汽车等核心产业需求，避免断供风险。尽管其产能有限，但已成为内需“生命线”的重要支撑。然而，全球NAND供需缺口已达15%–20%，2026年位元增长率仅10%–15%，远低于历史水平。业内普遍认为，单靠CJCC扩产难以扭转结构性短缺。其真正价值在于筑牢国产替代底线，而非改变全球格局。在AI驱动的存储超级周期中，CJCC正以技术突破与政策使命双轮驱动，为中国半导体产业链提供关键韧性。