大陆厂低价冲击市场，台存储器板块剧烈震荡

2026年初，全球存储器市场在高涨预期中突遭重击。继CJCC传出将武汉三期新产能从2027年提前至2026年下半年投产后，又传CXCC以约138美元的“骨折价”抛售DDR4 32GB模组，仅为当前市价300–400美元的三分之一。消息一出，中国台湾地区存储器族群应声重挫，南亚科、华邦电、群联等指标股早盘虽随大盘反弹大涨，却迅速由红翻黑，盘中一度集体跌停，单日振幅超16%，成交量暴增，引发市场对“超级循环”是否提前终结的恐慌。
此轮抛压背后，既有对大陆厂低价倾销的担忧，也叠加了前期涨幅过大后的获利了结。有分析指出，CXCC若真以该价格出货，即便扣除成本仍具丰厚利润，其目的或在于快速抢占市场份额，尤其在国际大厂聚焦HBM与AI高端产品的背景下，成熟制程DRAM成为国产替代主战场。尽管目前中国台湾地区尚未开放陆制DRAM模组进口，威刚、十铨等模组厂短期直接受冲击有限，但价格下行预期已形成心理压力，拖累整个板块估值。
然而，深入供需结构可见，存储器紧缺格局并未逆转。机构最新报告明确上修2026年第一季度价格预期：传统DRAM合约价季增90%–95%，NAND闪存达55%–60%，PC与服务器用DRAM涨幅更突破100%。主因在于三星、SK海力士、美光等原厂持续将产能倾斜至高毛利的HBM与先进制程，导致成熟型DRAM与通用NAND供给严重收敛。即便一线OEM厂商，库存水位仍在下滑，“有货优先、价格主导”已成常态。
CJCC虽加速扩产，但其武汉三期工厂初期良率爬坡需时，且产能规划以DRAM与NAND各半为主，重心偏向服务本土数据中心与智能手机供应链。CXCC的低价策略虽扰动市场情绪，但其全球份额有限，难以撼动结构性缺货大局。正如华邦电总经理陈沛铭所言，2026年及2027年所有既有与新增产能“均已销售及预定完毕”，客户需求甚至出现终端客户直接抢产能的情况，反映真实需求依然强劲。
短期来看，市场情绪修复仍需时间。摩尔投顾分析师提醒，融资维持率若跌破警戒线，恐引发第二波断头卖压；叠加法人持续调节仓位，板块波动加剧。建议投资者暂避锋芒，待量能萎缩、价格企稳后再评估布局机会。长期而言，AI推理、边缘计算与企业级SSD需求持续爆发，全球NAND与DRAM位元成长率仅10%–15%，远低于历史水平，结构性短缺至少延续至2027年。
因此，当前剧烈震荡更多是消息面扰动与筹码结构调整所致，而非产业趋势反转。真正具备技术实力、客户绑定深度与产能保障能力的企业，仍将受益于AI驱动的存储超级周期。在国产替代与全球紧缺双重逻辑下，理性看待短期波动，方能把握长期机遇。