中国厂商正在大幅扩充产能大举抢占存储器市场

在全球人工智能浪潮推动下，存储器需求持续爆发，供需缺口不断扩大，为中国存储企业创造了难得的战略机遇。面对国际大厂产能向高带宽存储器（HBM）和先进DRAM高度倾斜，成熟制程产品供给趋紧的局面，CJCC与CXCC正全力扩产，试图在结构性短缺窗口期抢占市场份额，重塑全球产业版图。
CXCC作为中国领先的DRAM制造商，目前正于上海推进大规模产线扩建，目标使该基地产能达到合肥总部的2至3倍，计划2027年正式投产，产品将覆盖服务器、笔记本电脑、台式机及汽车电子等领域。更值得注意的是，其HBM产线也在同步扩张，以应对国内云服务商与AI芯片企业对高带宽内存的迫切需求。目前，CXCC位于合肥与北京的工厂已满载运转，2025年首次实现全年盈利，全球DRAM市占率约4%，机构预计到2027年有望提升至13.9%。
与此同时，CJCC在武汉建设的第三座工厂也进入关键阶段，虽原定2027年投产，但市场传出其可能通过“边建厂、边调试”策略，提前于2026年下半年释放部分产能。尤为关键的是，新厂将首次引入DRAM生产线，初期规划NAND闪存与DRAM产能各占一半，并联合本土模组厂商共同开发HBM产品。尽管受限于设备获取，CJCC巧妙利用旧有机台进行工艺改良，已基本完成DRAM自主研发，技术路径趋于成熟。有供应链人士指出，其高品质DRAM与HBM芯片量产“只是时间问题”。  然而韩国产业界普遍认为，高端存储领域的真正壁垒并非产能规模，而是良率控制与客户协同能力。在HBM等尖端产品上，中国厂商仍面临堆叠精度、热管理及稳定量产等技术挑战。当前，三星与SK海力士已迈入HBM3E量产并推进HBM4，而中国尚处于HBM3验证阶段。即便在中低阶市场快速扩张，若无法突破先进制程瓶颈，短期仍难撼动韩美企业在高毛利领域的主导地位。正如业内人士所言：“有钱买不到良率，经验才是核心资产。”  市场反应亦呈现分化。受陆厂扩产及低价抛售传闻影响，中国台湾存储器股近期剧烈震荡，南亚科、华邦电等一度跌停。但基本面并未恶化——南亚科2026年1月营收达153.09亿元新台币，月增27.39%、年增高达608.02%，续创单月历史新高。公司指出，市场需求强劲叠加供给增长有限，是业绩飙升的主因。目前DDR4与LPDDR4缺货最为严重，这两类产品占其去年第四季度产能约七成。南亚科已采取审慎分配策略，抑制重复下单与囤货行为，确保供应链稳定。公司预估，2026年上半年DRAM需求将持续热络，产品价格有望维持上涨趋势，全年整体表现“还不错”。
  综合来看，AI热潮确实为中国存储产业提供了“弯道超车”的契机，尤其在政策支持与内需保障下，CJCC与CXCC的市占率有望稳步提升，对缓解目前国内存储器供应紧张局面带来一丝希望。但要真正跻身全球一线阵营，仍需跨越良率、可靠性与生态绑定三大门槛。未来两年，全球存储市场将在“紧缺常态化”与“国产替代加速”双重逻辑下演进，竞争焦点将从产能数量转向技术深度与供应链韧性。对中国企业而言，这既是机遇，更是必须用时间和量产数据来回答的长期考题。