三星与SK海力士推迟混合键合机导入，HBM4仍依赖TC键合技术

在高带宽内存（HBM）技术演进的关键节点，三星电子与SK海力士做出了出人意料的战略调整。尽管两家公司已宣布第六代HBM4进入量产阶段，却同时决定推迟原计划用于HBM4制造的混合键合机导入时间表。取而代之的是，它们将继续使用现有供应商SEMES和韩美半导体提供的TC（热压）键合机进行批量生产。即便是最初预期采用混合键合技术的16-high HBM4产品，也很可能沿用TC方案。这一决策反映出产业界对新技术量产成熟度的审慎态度，以及对成本与良率平衡的高度重视。
据业内人士透露，三星与SK海力士正通过优化微凸点（micro-bump）设计来弥补TC键合的技术局限。具体而言，公司将HBM4的凸点间距缩小至约10微米，仅凭此改进即可满足英伟达提出的每引脚11.7 Gb/s传输速率要求。相比之下，混合键合虽能实现无凸点直接连接、降低信号损耗并支持20层以上超高堆叠，但其设备成本高达TC键合机的两倍以上，且生产效率不足50%。CTT Research援引消息指出，一家北美客户（美光）已将无助焊剂混合键合技术的商业化时间推迟至2028年。三星在近期财报电话会议中也承认，HBM4E（第七代HBM）才可能实现混合键合的部分商业化，而主线产品仍将长期依赖TC工艺。这种“渐进式创新”策略虽牺牲了部分性能上限，却确保了产能稳定与客户交付可靠性，在当前AI芯片供不应求的市场环境下显得尤为务实。