中国高阶存储业突破仍需努力，技术代差多大？

在全球人工智能浪潮席卷之下，存储器供需矛盾日益尖锐，为中国本土存储芯片企业创造了前所未有的发展机遇。据日经亚洲报道，中国两大存储器制造商——CXCC与CJCC正启动史上最大规模的扩产计划，以填补全球市场缺口并加速提升全球份额。CXCC作为中国最大的动态随机存取存储器（DRAM）厂商，正在上海建设全新生产基地，预计该厂最终产能将达到其合肥总部的2至3倍。新工厂将专注于生产服务器、台式机、笔记本电脑、汽车电子及其他智能终端所需的DRAM芯片，设备安装工作计划于2026年下半年启动，并于2027年正式投产。更值得注意的是，CXCC同步在上海推进高带宽存储器（HBM）产线建设，以应对国内AI服务器厂商对先进存储器的迫切需求。目前，其位于合肥与北京的现有工厂均已满载运转，主要受惠于中国本土科技企业对国产存储芯片的强劲采购意愿。
与此同时，CJCC也在湖北武汉加速建设第三座晶圆厂，原定2027年投产的目标已大幅提前。新厂规划别具战略意义：除继续扩大3D NAND闪存产能外，约50%的产能将转向DRAM生产，并与中国本土存储模组封装企业合作开发HBM产品。这一“双线并进”策略凸显CJCC从单一NAND厂商向综合存储IDM（集成器件制造）转型的雄心。尤为关键的是，面对美国自2019年起实施的半导体设备出口管制，CJCC通过改良旧有设备并自主研发工艺流程，已基本绕开对极紫外光刻（EUV）等尖端设备的依赖，成功实现DRAM技术的完全自主化。供应链消息透露，CJCC早在两年前便启动DRAM研发，目前已掌握核心技术，量产高品质DRAM与HBM仅是时间问题。尽管2022年因被列入美国实体清单而中断苹果供应链认证，但在国产替代政策强力推动下，公司迅速转向内需市场，获得持续发展动能。Yole Group亚洲主管Gary Huang指出，在全球存储器供应紧张、中国推动本土化替代及资金支持三重利好下，中国存储厂商正迎来最佳扩张窗口期，产业繁荣至少将持续两年以上。
尽管中国存储器产业在产能扩张上气势如虹，但韩国业内专家认为，其在高端技术领域与国际领先水平仍存在差距，且这一差距短期内难以弥合。韩国东亚大学电机工程系教授Shim Dae-yong——曾任职SK海力士26年并主导早期HBM开发——在接受《韩国先驱报》专访时直言：“中国在先进DRAM领域的技术差距至少超过五年。”他指出，核心制约在于无法获取阿斯麦（ASML）的极紫外光（EUV）光刻设备，而10纳米级以下先进DRAM制程（如1b、1c节点）已几乎无法脱离EUV实现经济可行的量产。
Shim Dae-yong分析称，虽然多重曝光技术可勉强将旧设备用于1a节点（如美光所为），但良率与成本将急剧恶化。以CXCC于2025年11月宣布量产的DDR5为例，其采用第四代DRAM制程，芯片面积明显大于三星与SK海力士同期产品，技术水平大致相当于韩厂2021年的早期DDR5，且传出良率仅约50%，远低于商业化所需的80%-90%门槛。这不仅推高单位成本，也削弱了其以低价冲击全球市场的可能性。他强调，真正的突破口或在于3D堆叠技术——即HBM的核心路径。理论上，通过垂直集成可在不依赖EUV的情况下提升存储密度。然而，新瓶颈随即转移至材料与封装环节：HBM所需的底层填充（underfill）与环氧封装材料（EMC）高度依赖日本厂商如Resonac、Namics等，这些材料需针对特定制程定制，对热稳定性与长期可靠性至关重要。更深层次的挑战在于生态协作经验的缺失。全球科技巨头如微软、谷歌、苹果及英伟达并非简单采购存储芯片，而是与供应商深度协同开发、共同调试，并在全新系统架构中验证性能。这种历经多年积累的信任关系，使成熟厂商能在产品出现缺陷时迅速定位根因并修复，而不影响客户项目进度。Shim Dae-yong强调：“能做出芯片只是生意的一小部分，真正的考验在于良率爬坡、长期可靠性证明，以及赢得客户对你作为稳定供应商的信任。”在当前阶段，考虑到三星与SK海力士等龙头已建立完善的品质保障体系，主流科技公司大规模采用CXCC或CJCC高端产品的可能性极低。因此，中国存储业若想真正跻身全球一线，不仅需突破设备限制，更需在材料、封装、客户验证等全链条构建自主可控且高可靠的产业生态。